與非網 4 月 2 日訊，據悉，全球最大的半導體儲存及影像產品製造商之一的美光科技公司將開始基於全新 RG 架構的第四代3D NAND存儲器的量產工作，計劃在今年 Q3 開始生產，並於 Q4 像商業客戶發貨。
這將是製造商的一次重大技術轉型，按照美光介紹，他們的第四代 3D NAND 使用多達 128 的有源層，並繼續使用陣列設計方法下的 CMOS。新型 3D NAND 存儲器把浮柵技術（已被 Intel 和 Micron 多年使用）改為 gate replacement 技術，以試圖降低管芯尺寸和成本，同時提高性能，並簡化向下一代節點的過渡。
該技術完全由美光公司開發，沒有英特爾的任何投入，因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應用程序量身定製的（可能是較高的 ASP，例如移動，消費類等）。
Micron 第四代的 28 層 3D NAND 即將流片表示該公司新設計不僅僅是一個概念。同時，美光還沒有計劃將其所有產品線都轉換為最初的 RG 處理技術，因此明年公司範圍的每位成本將不會大幅下降。儘管如此，該公司承諾在其後續 RG 節點廣泛部署之後，到 2021 財年（從 2020 年 9 月下旬開始）將實現有意義的成本降低。
美光首席執行官兼總裁 Sanjay Mehrotra 表示：“我們使用 replacement gate 或簡稱“ RG”實現了我們的第一個 die。這個里程碑進一步降低了我們進行 RG 過渡的風險。提醒一下，我們的第一個 RG 節點將為 128 層，並將用於選擇的一組產品。我們不希望 RG 能夠在 2021 財年廣泛部署第二代 RG 節點之前實現有意義的成本降低。因此，我們預計 2020 財年 NAND 的成本降低最小。我們的 RG 生產部署方法將優化 NAND 資本投資的 ROI。”
此外，據美光科技透露，公司將在今年晚些時候最終推出其首款用於帶寬需求型應用的 HBM DRAM。此舉將使該公司能夠應對諸如旗艦 GPU 和網絡處理器之類的高帶寬設備市場，在過去五年中，這些設備已轉向 HBM 來滿足其不斷增長的帶寬需求。而且，作為“三巨頭”存儲器製造商中的第三家也是最後一家進入 HBM 市場的公司，這意味著 HBM2 存儲器將最終可從所有三家公司獲得，這給該市場帶來了新的競爭優勢。
儘管美光始終處於存儲技術的最前沿，但迄今為止，該公司一直沒有涉足 HBM. 相反，他們先前的工作重點是 GDDR5X，以及混合內存多維數據集（HMC）對快速堆棧存儲的不同看法。HMC 是 三星和 IBM 於 2011 年首次宣佈的，HMC 是類似的堆疊 DRAM 類型，適用於帶寬匱乏的應用，其特點是低帶寬總線和極高的數據速率，可提供遠遠超過當時的內存帶寬標準 DDR3。作為 HBM 的競爭解決方案，HMC 確實在市場上有一定用途，特別是在加速器和超級計算機等產品中。然而，最終，HMC 在與更廣泛的 HBM / HBM2 的對抗中敗下陣來，美光科技在 2018 年將該項目轉為支持 GDDR6 和 HBM。
最終，美光花了大約兩年的時間來開發其第一批 HBM2 存儲設備，並且這些產品最終將在 2020 年面世。鑑於此次電話會議具有廣泛的財務性質，美光並未透露其首批 HBM2 設備的規格目前，儘管可以肯定的是，將使用該公司的第二代或第三代 10 nm 級工藝技術（1y 或 1z）生產底層 DRAM 單元。同時，在性能和容量方面，美光顯然將竭盡全力與三星和 SK 海力士競爭。
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