在晶圓代工龍頭臺積電將於2020年正式量產5納米制程，而競爭對手三星也在追趕的情況下，目前兩家公司也在積極研發更先進的3納米制程。這些先進半導體制程能研發成功，且讓未來生產良率保持一定水準，光刻機絕對是關鍵。
就臺積電與三星來說，最新極紫外光刻機（EUV）早就使用在7納米制程，未來5納米制程也將會繼續沿用。至於更新的3納米制程，目前光刻機龍頭──荷蘭商ASML也正研發新一代極紫外光刻機，以因應市場需求。
根據外電報導，目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:3400B，以及進化版的NXE:3400C兩款型號。基本上兩種型號的EUV光刻機構造相同，但是NXE:3400C採用模組化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8到10小時，可支援7納米及5納米制程的生產需求。
此外，NXE:3400C的產能，也從NXE:3400B每小時處理晶圓數的125WPH，提升到了175WPH，達到其更好的效率。
隨著臺積電與三星在7納米EUV製程量產，ASML的EUV光刻機需求也快速攀升。
根據2020年1月ASML公佈的2019年第4季及當年全年財報顯示，光是2019年第4季，ASML就出貨了8臺EUV光刻機，並收到9臺EUV光刻機訂單。全年EUV光刻機訂單量達到了62億歐元，總計出貨了26臺EUV光刻機，比2018年18臺有顯著成長，使EUV光刻機對ASML的營收佔比，從2018年23%提升到31%。
在此情況下，隨著2020年臺積電與三星5納米制程的相繼量產，這將對於EUV光刻機的需求進一步提高。根據ASML預估，2020年將會交付35臺EUV光刻機，2021年進一步提高到45~50臺交付量。不僅如此，ASML還針對後續更為先進的3納米、2納米制程的需求，開始規劃新一代EUV光刻機EXE:5000系列。
報導進一步指出，EXE:5000系列將會把物鏡系統的NA（數值孔徑）由上一代的NXE:3400B/C的0.33，提升至0.55，如此可達成小於1.7納米的套刻誤差，每小時處理晶圓數也將提升至185WPH。根據ASML公佈的資訊顯示，EXE:5000系列光刻機預計最快在2021年問世。不過首發設備還是樣機，所以最快要到2022年或2023年才能量產交付客戶。
而如果按照目前臺積電的和三星的進度來看，臺積電在2020年量產5納米制程，而3納米制程預計最快可能也要等到2022年才會量產。
至於，三星方面，按照規劃，在6納米LPP製程之後，還有5納米LPE、4納米LPE兩個製程節點，之後將進入3納米制程。規劃的3納米制程分為GAE（GAA Early）及GAP（GAA Plus）兩世代。
其中，2019年5月三星就宣佈3納米GAE的設計套件0.1版本已經準備完成，可以幫助客戶啟動3納米制程的設計。只是從設計到量產，預計還要一段時間，其中還有試產的部分，因此預估量產時間最快要等到2022年之後。
據瞭解，目前臺積電方面的3納米制程研發進展順利，已經開始與早期客戶進行接觸。而臺積電新投資新臺幣6,000億元的3納米新竹寶山廠也於2019年通過了用地申請，預計將於2020年正式動工。屆時完成之後，應該就會看到ASML的新一代EXE:5000 A系列光刻機進駐，生產更先進的半導體芯片。
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