國內自主存儲 DRAM 技術開發陣營之一的福建晉華，日前被美國商務部以國家安全為由，列入出口管制清單，美國三大半導體設備商 Applied Materials 、 Lam Research 、 Axcelis 在禁令實施當天就立刻撤出福建晉華的 12 寸廠，
而福建晉華的 DRAM 技術開發合作方臺灣聯電也在 10 月 31 日正式表態，決定停止該 DRAM 開發計劃。國內每年進口的集成電路產品金額超過 2600 億美元，超過石油的進口金額，但國內自制芯片的比重卻不到 30%，這當中最為缺乏的產品就是存儲芯片，包含 DRAM 和 NAND Flash 兩大產品，因此這幾年國內逐漸形成三大存儲陣營積極自主研發，分別為 DRAM 項目的福建晉華和合肥長鑫，以及研發生產 NAND Flash 芯片的長江存儲。
論起自主研發存儲芯片，DRAM 項目其實比 NAND Flash 項目更為困難且敏感。全球可以生產 NAND Flash 芯片的供應商還有 5 ~ 6 家，但全球有能力生產 DRAM 的供應商卻只剩下三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三家，可想而知這三家大廠會將 DRAM 技術列入保護的最高等級。美國這次將福建晉華列為出口管制清單企業，也反映美國對於 DRAM 技術保護的程度。
據供應鏈透露，10 月 30 日是美國實施出口管制的第一天，美國三大半導體設備商 Applied Materials 、 Lam Research 、 Axcelis 當天就將駐廠人員全數撤出福建晉華的 12 寸廠，所有的機臺設備裝機、協助生產的動作全面停止，而已下單但未出貨的機臺設備則全數暫停出貨。
其他美國的設備材料供應商還有 KLA-Tencor 、 Gatan 、 ECI Technology 、 Bruker 、 Engegris 等，另外像是美系的芯片設計工具 EDA 供應商也都列為管制項目的清單中。
值得注意的是，福建晉華的 DRAM 技術合作開發夥伴臺灣聯電在 10 月 31 日正式指出，將停止 DRAM 開發項目。
福建晉華是新興的 DRAM 技術陣營，由福建省電子資訊集團及晉江能源投資集團合資成立，投資金額超過 50 億美元，預計年底進入生產，單月產能規模為 6 萬片，未來五年第二期的規模為單月 12 萬片產能。
2016 年，福建晉華委託臺灣聯電做 DRAM 技術開發，根據合約協議為開發兩個世代的技術，包括 32 納米和 2x 納米工藝，合計 4 億美元的代價，委託臺灣聯電進行 DRAM 技術開發，未來該技術將分屬福建晉華和聯電共同持有。
其實，今年以來福建晉華在關鍵機臺的取得上一直被美光阻擋，部分美光擁有專利的 DRAM 機臺設備，嚴禁出口給福建晉華，但因為數目不多，因此對福建晉華產生的影響有限，不像是這次全面性的禁售。
美光先前控告兩名臺灣的離職員工攜帶機密資料到聯電任職，協助福建晉華進行 DRAM 開發，這兩名離職員工也因此被起訴。同時，美光也針對聯電提出控告，不過，聯電在臺灣並未被起訴，僅被認為未善盡管理之責。
不料，去年底美光又在美國加州針對聯電控告妨礙營業秘密，聯電回應並無侵犯美光知識產權的事實。
而這場司法大戰的最高潮，應該是發展到今年 7 月，福建晉華/聯電陣營，以及美光在中國進行知識產權和專利訴訟，最後，福州中級法院宣判美光確實有侵犯福建晉華/聯電在部分 DRAM 和 NAND Flash 存儲技術上的專利，導致美光的部分存儲產品在國內禁運。 業界認為，這件事是引爆整起事件情勢演變迄今的導火線。
整個風暴發生至今僅四天的時間，力道卻是又急又猛烈。10 月 29 日美國商務部宣佈出口禁令，10 月 30 日該禁令實施後，所有美系供應商撤出福建晉華，發展到 10 月 31 日，晉華的 DRAM 技術開發夥伴聯電也宣佈停止。
未來福建晉華的 DRAM 技術開發案是否將全數停擺？或是還有一線生機？只能繼續等待。在聯電退出後，現在最關鍵的問題是生產設備都無法進口，這樣的局勢發展，真的所有合作方都是始料未及的。
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