最近，市場研究機構 Yole 發佈了季度內存相關報告，稱過去一年DRAM和NAND 貢獻巨大的內存市場，將在2018年取得類似的成功。內存將有望佔2018年半導體總收入的1/3以上，大大超過約25％的歷史平均水平。
2017年，半導體行業取得了創紀錄的好成績，收入超過4000億美元。隨著電子元件的應用越來越多，特別是移動和數據中心等領域，全年對半導體器件的總體需求強勁。
DRAM 價格上漲23%
根據2017年的增長趨勢推測，預計DRAM價格在2018年將上漲23％（上半年價格上漲33％/ 2H上漲16％）。此外，預計出貨量將增長22％。
這一組合將使DRAM收入從730億美元上升51％至1110億美元。 DRAM 的關鍵需求是移動和數據中心，移動需求幾乎達到40%，數據中心需求約為25%。
目前，三星、SK海力士、美光控制了大約95%的DRAM 市場。儘管資本投資接近歷史最高水平，但這三家公司都在管理自己的業務，以保持盈利。
NAND情況稍有緩和
Yole預計2018年價格下降15％，而出貨量預計增長45％。 此外，預計收入將從540億美元上升到23％，達到660億美元。
其中關鍵需求部分與DRAM類似，移動佔約36％的需求，數據中心（企業SSD）約佔需求的21％，PC（客戶端SSD）約佔需求的24％。 預計總體SSD需求將達到NAND總需求的約45％。
NAND的競爭格局依然非常活躍。三星正在平澤市投資建設新晶圓廠；英特爾正在成為一個重要的中國市場供應商；東芝內存業務確認出售給貝恩資本（Bain Capital）領導的財團。
競爭格局將生變
Yole表示，中國在內存領域的投入（長江存儲和其他諸多項目），將有可能破壞目前的競爭格局。
除了手機、數據中心和固態硬盤之外，人工智能和物聯網預計將成為內存市場強勁的需求推動力，從2018年開始並延伸到未來。雖然邊緣計算的出現會降低每個設備的內存容量，但整體設備的大幅增加將導致巨大的內存需求。
雖然中國有可能影響內存市場競爭格局，然而距今仍需要幾年時間。到目前為止，中國已經投資數十億美元來推動內存行業的發展。例如長江存儲及其NAND產品將率先進入內存市場，2018年底/ 2019年初推出產品。Yole認為，長江存儲仍需要幾年的時間才能趕上老牌廠商。
另外，合肥長鑫和福建晉華項目也取得一定進展，合肥長鑫有希望於今年年底，誕生首個自主研發的DRAM芯片，晉華項目預計2018年8月正式投產。
總體來說，近幾年內存市場格局基本維持目前狀況，根據Yole 預測2018年DRAM價格將上漲23%，NAND價格下降15％。
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