根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，中國閃存（NAND Flash）廠商長江存儲(YMTC)已在第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產，擬用於UFS、SSD等各類終端產品，並同時出貨給模組廠。考量客戶導入時程，預估長江存儲新產品可能率先影響第四季晶圓（Wafer）市場合約價，並自2021年起對消費級固態硬盤（Client SSD）、eMMC/UFS等市場供給產生實質貢獻，在供給增加的情況下，價格下跌的可能性也將提高。
集邦諮詢表示，受到疫情影響，智能手機及筆記本電腦等終端需求將受到不小衝擊，並對NAND Flash主流供應商獲利能力造成影響，抑制未來持續擴產的幅度。相較之下，長江存儲目前在各類應用的市佔規模仍小，因此受疫情影響較低。當前目標將著重於與OEM進行64層TLC的相關產品導入及提升良率，並趕在今年內送交128層產品樣品，將同時包含TLC以及QLC產品，以擴大客戶基礎。
3D NAND堆棧難度漸增，有利長江存儲縮小差距
隨著3D NAND Flash堆棧達到90層以上，主要供應商在更高層數蝕刻及堆棧技術的發展難度逐漸增加。
觀察各供應商的技術路線圖，在1XX層的產品世代已有分歧：儘管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產品，但鎧俠/西數(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產品要到下半年才會放量，相比前幾代3D NAND產品的發展進程來得更久，有利於長江存儲的128層產品迎頭趕上。
除此之外，2019年NAND Flash的價格平均跌幅達46%，導致主要供應商陷入虧損，資本支出因而轉為保守，產出增長規劃亦創下歷史新低，這也讓長江存儲有了拉近差距的機會。
2021年長江存儲產能預估佔整體NAND Flash約8%
身為新進供應商的長江存儲目前擁有武漢廠，今年目標是成都廠開始投產，並逐步完成武漢廠區剩餘二座廠房的興建與擴產。除了擴張規劃積極，長江存儲也是國家大基金的重點扶植廠商，可以預期NAND Flash市場競爭將更為嚴峻，長期價格面臨持續走跌的壓力。
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