為了對抗延遲超低、壽命遠超閃存的英特爾傲騰，三星推出了Z-NAND閃存，鎧俠、西數則推出了XL-Flash閃存，基本原理都是以犧牲容量換取性能，另類復活了SLC閃存。
據介紹，XL-Flash閃存被定義為SCM（存儲類內存），介於傳統DRAM內存、NAND Flash閃存之間，擁有更高的速度、更低的延遲、更大的容量，而且成本相對較低，初期將用於SSD固態硬盤，未來也可用於NVDIMM內存條等傳統DRAM領域產品。
在ISSCC 2020國際會議上，鎧俠公佈了XL-Flash閃存的一些特性（如上圖）。簡單來看，XL-Flash的思路就是在3D堆棧基礎上覆活SLC，其內部存儲的數據降低到了1bit，也就是SLC類型，這就註定了它的容量會比較低，核心容量只有128Gb（16GB），相比現在動輒TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。
在性能提升方面，XL-Flash閃存採用了16-Plane架構，延遲只有普通3D閃存的1/20，具體來說是讀取延遲4us，寫入延遲75us，要比超過500us延遲的3D TLC閃存好太多了，比三星的Z-NAND閃存的100us也要好些。除了增加的吞吐量外，XL-Flash還可以實現更高的IOPS，尤其是對較小文件的隨機讀取/寫入操作。
至於存儲密度，復活SLC閃存的代價也是有的，96層堆棧3D TLC閃存、512Gb核心的面積是86.13 mm²，現在128Gb XL-Flash閃存就有96.34 mm²，存儲密度低了3-4倍。
最後，就是期望將新的XL-Flash存儲器集成到超高速SSD中，而且儘早商業化，畢竟再好的產品只有量產與應用才能體現其真正價值。
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