09.20 西數新晶圓廠啟用 量產新一代96層3D NAND Flash

日本存儲器大廠東芝存儲器與西數於19日宣佈,共同在日本三重縣四日市的6號晶圓廠(Fab 6)舉行開幕儀式。該廠為新設先進半導體制造廠區,並設有存儲器研發中心。

東芝/西數新晶圓廠啟用 量產新一代96層3D NAND Flash

東芝存儲器自2017年2月開始興建6號晶圓廠,是3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產廠區。東芝存儲器與西數已針對沉積(deposition)與蝕刻(etching)等關鍵生產製程開始部署先進製造設備,新廠已經在9月初開始量產新一代96層3D NAND Flash。

鑑於3D NAND Flash在企業服務器、資料中心及智能手機的需求不斷成長,未來幾年這些需求將持續擴大的情況下,為因應市場趨勢,未來可望進一步投資擴大產能。

此外,與6號晶圓廠相毗鄰的存儲器研發中心,也已經於2018年3月開始營運,主要負責研發及推動3D NAND Flash的發展工作。

東芝存儲器進一步指出,將與西數持續推動並擴展雙方在存儲器事業的市場領導地位,積極開發各項計劃以強化競爭力,推動3D NAND Flash的共同開發,並根據市場趨勢規劃資本的投入。

對此,東芝存儲器社長暨執行長成毛康雄表示,東芝存儲器很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。而6號晶圓廠和存儲器研發中心能讓東芝存儲器在3D NAND Flash市場中維持領先地位,而且相信與西數的合資事業,將能協助四日市的工廠繼續生產市場上最先進的存儲器。

西數的執行長Steve Milligan也同時指出,很榮幸能與西數的重要合作伙伴──東芝存儲器一起為6號晶圓廠和存儲器研發中心揭開序幕。

近20年來,兩家公司合作無間,帶動了NAND Flash技術的成長和創新。此外,雙方也正積極提升96層3D NAND Flash的產能,以因應從消費性、移動應用到雲端資料中心等終端市場的各式商機,且6號晶圓廠具備先進技術設備,將進一步提升東芝存儲與西數在業界技術領先和成本領導的地位。

已開始準備IPO事宜 最快2年內上市

東芝存儲器(Toshiba Memory)20日表示,公司已經在準備IPO(首次公開招股)事宜,最快將在2年內上市。

成毛康雄(Yasuo Naruke)19日表示,他並不擔心近期的存儲器芯片價格下滑,並重申公司計劃在兩三年內上市。

成毛康雄說:“短期內的價格波動是供需平衡的體現,但東芝關注的是市場長期需求,這些需求將受到智能手機和數據中心所帶來的數據存儲量增長的推動。”

去年9月,東芝同意以2萬億日元(約合180億美元)的價格將旗下芯片業務部門(即東芝存儲器)出售給貝恩資本財團。貝恩資本財團成員還包括蘋果、戴爾和其他幾家公司。

根據協議,東芝將持有約東芝存儲器40%的股份。其他貝恩聯盟的成員包括蘋果公司、韓國芯片製造商SK海力士、戴爾科技、希捷科技、以及金士頓科技等。

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)數據顯示,今年第二季度由於NAND Flash仍是供過於求,平均價格跌幅達15-20%。基於營收,今年第二季度東芝和西數總計佔據全球NAND閃存市場33.8%的份額,而三星電子為36.4%。

東芝/西數新晶圓廠啟用 量產新一代96層3D NAND Flash

此外,成毛康雄還表示,東芝存儲器仍堅持“儘快上市”的計劃。而且,公司目前已開始了IPO(首次公開招股)的初步籌備工作。成毛康雄說:“我們的計劃沒變,希望在兩三年內上市。”

備註:本文根據TechNews科技新報和新浪科技相關文章整理。

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