繼三星Z-NAND和英特爾3D XPoint之後，東芝在去年的閃存峰會上發佈了XL-FLASH，這是一款低延遲SLC 3D NAND閃存。東芝當時並沒有透露太多細節，但今年東芝披露了將其推向市場的時間表：九月開始取樣，明年開始量產。
第一個XL-FLASH部件將使用一個128Gb的Die，分為16個Plane，以支持比現有的面向容量的3D NAND部件更高的並行度。頁面大小將為4kB，明顯小於大多數3D NAND使用的大小，但這並不奇怪，因為XL-FLASH每個單元只存儲一位，而大多數3D NAND 存儲3位或4位。東芝的新聞稿沒有透露擦除塊的大小，但我們預計它將同樣小於用於大容量NAND設計。至於性能,東芝表示讀延遲將少於5微秒。
東芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之間最大的區別可能在於商業模式。三星將Z-NAND用於自己的Z-SSD產品中，而東芝的XL-FLASH將與他們的3D TLC和QLC NAND一樣出售。我們已經從一些SSD控制器供應商那裡聽說，他們計劃在他們即將推出的控制器中支持XL-FLASH，所以當XL-FLASH開始進入市場時，它可能會在幾個競爭品牌的SSD中出現。
原文鏈接：https://www.anandtech.com/show/14707/toshiba-launches-xlflash-3d-slc-nand
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