为了对抗延迟超低、寿命远超闪存的英特尔傲腾，三星推出了Z-NAND闪存，铠侠、西数则推出了XL-Flash闪存，基本原理都是以牺牲容量换取性能，另类复活了SLC闪存。
据介绍，XL-Flash闪存被定义为SCM（存储类内存），介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量，而且成本相对较低，初期将用于SSD固态硬盘，未来也可用于NVDIMM内存条等传统DRAM领域产品。
在ISSCC 2020国际会议上，铠侠公布了XL-Flash闪存的一些特性（如上图）。简单来看，XL-Flash的思路就是在3D堆栈基础上复活SLC，其内部存储的数据降低到了1bit，也就是SLC类型，这就注定了它的容量会比较低，核心容量只有128Gb（16GB），相比现在动辄TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多。
在性能提升方面，XL-Flash闪存采用了16-Plane架构，延迟只有普通3D闪存的1/20，具体来说是读取延迟4us，写入延迟75us，要比超过500us延迟的3D TLC闪存好太多了，比三星的Z-NAND闪存的100us也要好些。除了增加的吞吐量外，XL-Flash还可以实现更高的IOPS，尤其是对较小文件的随机读取/写入操作。
至于存储密度，复活SLC闪存的代价也是有的，96层堆栈3D TLC闪存、512Gb核心的面积是86.13 mm²，现在128Gb XL-Flash闪存就有96.34 mm²，存储密度低了3-4倍。
最后，就是期望将新的XL-Flash存储器集成到超高速SSD中，而且尽早商业化，毕竟再好的产品只有量产与应用才能体现其真正价值。
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