三次DRAM世界大戰結束了，大爭之世也結束了。全球半導體工業大國的巨頭們，有的崛起、有的滅亡、有的獲得新生。在全球半導體工業發展的歷史長河中，任何人，任何公司，如果不能挺立潮頭，最終都將是一朵浪花。
大爭之世，三次DRAM世界大戰，全球半導體巨頭之間的相愛相殺，進而決定全球半導體工業大國之間競爭實力的此消彼長。我們從更長遠的半導體歷史長河-全球半導體硅含量的角度，去回顧和總結人類社會進入硅文明後，美日韓臺歐，大國半導體之興衰成敗。
在半導體工業的歷史長河中，三次全球半導體硅含量提升週期中，回首檢視美國、日本、韓國、歐洲、中國臺灣省等全球半導體大國/地區興衰成敗。夫以銅為鏡，可以正衣冠;以古為鏡，可以知興替;以人為鏡，可以明得失。
全球半導體硅含量提升週期，就是全球半導體工業的歷史長河。上世紀70年代開始，全球半導體經歷三次完整的半導體硅含量提升週期，我們正處於第四次半導體硅含量提升週期之中。
大國啟示錄：美國
DRAM和半導體工業產值在全球市場佔有率中的發展趨勢：獨立自主的、完整的半導體工業體系，完善的人才培養體系。
美國人在1975年之前，通過軍工國防的投入領先全球建立了獨立自主的、完整的半導體工業體系。同時美國人創造硅晶體管、集成電路、MOS、CMOS和DRAM等一系列半導體科技的基礎。
英特爾憑藉著在MOS、晶體管等技術的領先優勢，通過1K DRAM，硅片直徑為50mm，芯片面積為8.5mm2，集成度為5000，佔據了全球半導體DRAM內存市場的82.9%的市場份額。隨後莫斯泰克在4K DRAM，硅片直徑為75mm，芯片面積為15.9mm2，集成度為11000。通過單晶體管單元，差分讀出技術和地址複用技術等科技紅利的技術創新取代了英特爾，就集成度而言，全球半導體最先進的DRAM集成度從5000提升到11000，增長了120%。
這一時期，美國人是全球半導體產業絕對的領導者。這一時期全球半導體硅含量從0到5%的提升過程中，大型機和小型機從發明到普及，美國人抓住了歷史的機遇。
1975-1985年的第一次DRAM世界大戰-美日半導體戰爭中，美國人在DRAM的競爭中開始全面被日本人趕超，DRAM的全球市場份額從峰值的90%左右，大幅度下滑到20%，這使得美國半導體在全球半導體產業中的佔比從峰值的90%滑落到40%左右。
美國人在DRAM的失敗，最主要在於16K、64K、256K DRAM的研製上，全面落後於日本人。以16K DRAM為例，日本人通過二層多晶硅技術使得DRAM芯片的集成度達到37000，這比起當時莫斯泰克、英特爾主流產品的集成度11000整整提升了236%。而日本人通過循環位線、摺疊數據線等新技術的應用，率先推出64K DRAM，集成度再次提升到155000，這比起16k的11000集成度，又提高13倍，這時候美國人已經基本沒有能力追趕了。
這一時期美國人在科技紅利投入上，特別是有效研發投入上是低於日本人的，雙方之間的DRAM軍備競爭已經不在一個層面上進行的，日本人通過64K DRAM，宣告全球半導體工業進入了新的時期-大規模集成電路時代。
科技思想上的落後使得美國人幾乎錯失了一個時代，美國50家半導體公司聯合起來，秘密結為同盟，希望能夠在256K DRAM反超日本人，但是日本人憑藉“官產學”三位一體的國家力量，領先於美國人早早就實現了256K DRAM 的規模量產。日本人的256K DRAM，採用三層多晶硅和冗餘技術等新技術，將集成度再次推高到555000，這在當時是無法想象的。
美國人在整個美日半導體戰爭的失敗，可以說，全球半導體工業從MOS晶體管、集成電路時代向超大規模集成電路(VLSI)時代轉變過程中的失敗。關鍵原因在於科技紅利投入，特別是有效研發投入上的落後。
而這一時期是第一次全球半導體硅含量提升週期，因為大型機、小型機的滲透率快速提升，全球半導體硅含量從5%快速提升到20%，全球半導體工業產值從5億美金，首次突破1000億美金。
從1986-2016年，美國人開始撿起了央格魯-撒克遜人的傳統政策-均衡政策，通過1986、1991年兩次簽署的《美日半導體協議》對日本人進行限制。日本人強大，就扶持韓國人抗衡;韓國人強大，就藉助臺灣人進行制約，保持著在全球半導體產業競爭中的均衡優勢。
2012年7月鎂光科技以25億美元的超低價格收購日本爾必達，隨後，鎂光市值從60億美元暴增至360億美元，成為爾必達破產的最大受益者。這終結了美國人和日本人之間長達50年的恩怨情仇，美日半導體戰爭畫上最終句號。
2015年12月美國鎂光科技以32億美元，併購在韓臺半導體戰爭中的失敗者-華亞科技(臺灣省南亞科和德國英飛凌合資)。
至此，美國人在全球DRAM內存市場成為僅次於韓國人的存在，全球DRAM市場份額從10%提升到25-30%。
在隨後的第二次、第三次全球半導體硅含量提升週期中，美國人開始在微處理器CPU、邏輯、模擬芯片等發力並鞏固全球核心競爭力，使得美國人佔據了全球半導體工業產值的半壁江山。最典型的就是英特爾，連續長達30年佔據全球微處理器CPU芯片的90%以上的市場份額，持續通過科技紅利投入，從286到586，從奔騰1到5等，壟斷全球PC和筆記本市場。美國人充分分享第二、三次全球半導體硅含量提升週期中PC電腦、筆記本、手機等快速普及的市場紅利。
縱觀美國半導體工業70年的發展歷史，獨立自主的完整的半導體工業體系和完善的人才培養體系，才是大國、強國的發展之基礎。獨立自主的完整的半導體工業體系，就像武俠小說中老師傅的深厚內功，有了深厚內功，學什麼都會很快。
美國完善的人才培養體系，特別是硅谷源源不斷的半導體人才，直到今天仍是美國半導體集成電路芯片產業最寶貴的資源，科技創新的源泉，科技紅利投入的有效保證。就像武俠小說中，再深厚的內功，也需要根骨奇佳的徒弟呀。
大國啟示錄：日本
DRAM和半導體工業產值在全球市場佔有率中的發展趨勢：官產學三位一體、舉國體制的國家力量、產業鏈上游延伸。
朝鮮戰爭的爆發，日本人獲得了美國的扶持，從1958年日本北辰電氣(Hokushin Electric)為NEC NEAC-2201晶體管計算機，研製64K 容量的MD-2A磁鼓存儲器起，到1988年日本登上全球半導體DRAM內存市場霸主，一共經歷將近三十年。
從上世紀60年代到70年，日本人向美國學習，在美國人的扶持下初步建立自己完整的半導體工業體系，並形成了自身國家在科技突破上的研發體系。
1960年起日本形成“官產學”三位一體的體系，即政府、企業和大學聯合對集成電路技術進行攻關。1960年日本人成功研製了第一塊晶體管集成電路;1963年研製MOS型晶體管。特別是1962年美國人對日本人開放當時全球半導體工業最先進的平面製造工藝技術，使得日本人幾乎一夜之間就獲得集成電路的生產製造技術。這構成了日本半導體工業體系的雛形，一下子縮短了和中國人的差距。
在第二次DRAM世界大戰-美日半導體戰爭中，日本製定了三步走的戰略：確定目標、追趕、超越。直到今天，日本人很多舉措為後世許多科技落後國家實現科技突破，提供很好的借鑑意義。
第一，探索和思考DRAM未來的演進方向，並確立目標以及演進路徑。早在1972年日本人就對當時IBM“FS計劃”中提出的“1M DRAM”進行了探索和思考，而當時市場主流還處於1k DRAM時代，這在當時簡直是無法想象的。但是日本就以此為目標，確立了超大規模集成電路(VLSI)的技術演進路徑，而當時全球主流仍處於MOS晶體管技術路線中。
1975年日本人以通產省為中心的“下世代電子計算機用VLSI研究開發計劃”構想，設立了官民共同參與的“超大規模集成電路(VLSI)研究開發政策委員會”。
第二，官產學三位一體，制定國家項目進行重點攻關。1976年日本啟動VLSI研究項目。1976年3月經通產省、大藏省等多次協商，日本政府啟動了“DRAM製法革新”國家項目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大公司聯合籌資400億日元。總計投入720億日元(2.36億美金)為基金，由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構-VLSI技術研究所。
日本人官產學三位一體，協調發展，通力合作，齊心協力，針對高難度、高風險的研究項目，VLSI研究所組織多個實驗室以會戰的方式，調動各單位的積極性，發揮良性競爭，各企業之間技術共享合作，共同提高DRAM量產成功率。
到1980年日本人宣佈完成DRAM製法革新國家項目。期間申請的實用新型專利和商業專利，分別達到1210件和347件。研發的主要成果包括各型號電子束曝光設備，採用紫外線、X射線、電子束的各型製版複印設備、乾式蝕刻設備等，取得了一系列引人注目的成果。這為美日半導體戰爭，打下了堅實的產業和科研基礎。
第三，舉國體制，突破產業鏈上下游，特別是半導體關鍵生產製造設備。70年代日本雖然可以生產DRAM內存芯片，但是最為關鍵的生產製程設備和原材料主要來自美國，為了補足短板，日本人組織800名技術人員進行重點攻關，共同研製高性能的國產化DRAM生產設備，不僅實現64K DRAM和256K DRAM的商用化，也實現1M DRAM商用化的關鍵生產製程設備。
在DRAM生產製程設備攻關體系中，日本人團結一致、齊心協力，這種舉國體制的國家力量令人震驚。這為後期美日半導體戰爭中，以集團軍作戰的方式在256K DRAM的決定性戰鬥中一舉打垮美國50家半導體聯盟的戰爭中立下赫赫戰功。
第一研究室，日立公司，負責電子束掃描設備與微縮投影紫外線曝光設備，室長：右高正俊。
第二研究室，富士通公司，負責研製可變尺寸矩形電子束掃描設備，室長：中村正。
第三研究室，東芝公司，負責EB掃描設備與製版複印設備，室長：武石喜幸。
第四研究室，電氣綜合研究所，對硅晶體材料進行研究，室長：飯塚隆。
第五研究室，三菱電機，開發製程技術與投影曝光設備，室長：奧泰二。
第六研究室，NEC公司，進行產品封裝設計、測試和評估研究，室長：川路昭。
直到2010年之前，日本的半導體設備指數和美國費城半導體指數BB值，是評估全球半導體行業景氣度的兩個關鍵指標。
1978年日本人發明64k DRAM，其問世標誌著超大規模集成電路(VLSI)時代的來臨，硅片直徑為100-125mm，芯片面積為26.6mm2，集成度為155000。主要技術為循環位線、摺疊數據線。
1980年日本人發明256k DRAM，硅片直徑為125-150mm，芯片面積為34.8mm2，集成度為555000，主要技術為三層多晶硅和冗餘技術。
在推進DRAM產業化方面，日本政府為半導體企業提供高達16億美金的鉅額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造DRAM集成電路產業集群，並最終一舉贏取第一次DRAM世界大戰-美日半導體戰爭的勝利。在科技紅利之有效研發投入上，遠遠超過美國人，這才是日本人獲勝的本質。
1980開始第一次全球半導體硅含量提升週期進入加速期，作為全球最大消費市場的美國，以蘋果為代表的一批公司，推進了大型機、小型機向普通家庭的快速普及。在一年時間內，美國家用電腦出貨量從4.8萬臺，暴增到20萬臺，家庭電腦的高速增長，對存儲器芯片產生了大量需求，日本人在DRAM核心技術的科技紅利領先，這給日本DRAM廠商帶來了搶佔美國市場的機會。
1980年，美國惠普公佈DRAM內存採購情況，對競標的3家日本公司和3家美國公司的16K DRAM芯片進行檢測，質量檢驗結果為：美國三家最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本三家DRAM公司的芯片不合格率，整整高出6倍。三家美國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克;三家日本公司是NEC、日立和富士通。
三十年集聚一朝奮起，到1986年日本人佔據全球DRAM存儲器芯片市場80%份額，成為當時全球半導體產業的新霸主。日本人的大獲全勝，為全球半導體發展中國家樹立了一個成功逆襲的典範。
1985、1991年兩次簽署的《美日半導體協議》，雖然給日本人進行極大的制約，雖然美國人全力扶持韓國人，但造成日本人在1986-1997年的第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭中失敗，十年間斷崖式下滑的主要原因還是日本人在科技紅利之有效研發投入上的不足，在64M DRAM關鍵技術有效研發投入上大大落後於韓國人，日本人就此錯失了第二次、第三次全球半導體硅含量提升週期，錯失PC、筆記本、手機等快速普及的市場紅利。
1985年開始日本經濟進入泡沫化，房地產就像打了雞血，全民進入炒房時代。1985年日本人砍掉近40%的設備更新投資和科技紅利投入，1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元下降到只有2650億日元，下降幅度達到80%，這就給了韓國人反超的機會。
日韓半導體戰爭後，日本人已無力迴天。1999年富士通宣佈退出DRAM市場。曾經的三巨頭NEC、日立、三菱三家公司的DRAM部門合併，成立爾必達(Elpida)。
在第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭中，日本人參與其中，借臺抗韓。爾必達與中國臺灣省的力晶半導體建立聯盟以抗衡韓國人。戰爭後期，臺灣人的“DRAM產業再造方案”破滅，原本希望通過向臺灣人提供核心技術，以換取援助資金的爾必達失去翻盤的機會。
2008-2009年，中芯國際面臨臺積電在美國的337調查和訴訟，爾必達無奈終止和中芯國際的合作，爾必達徹底失去最後的生機。
2010-2011年，爾必達陷入困境，連續5個季度虧損，申請破產保護。
2012年7月，鎂光科技以25億美金收購爾必達。美日兩國半導體產業長達50年相愛相殺，恩怨情仇，就此煙消雲散。
爾必達的失敗，有外因，也有內部因素。爾必達自成立起，有三大內傷，埋下日後覆滅的因子：
第一，管理上官本位，三家合併後，管理崗位的分配並不是按照能力和職能進行分配，而是，任何崗位一定要共同參與，比如某一崗位，一正一副，如果正職來自NEC，那麼日立一定是副職。這種管理在現代企業發展史上也是奇葩了。
第二，研發文化的衝突，特別是技術路徑的分歧巨大。比如在64M升級到256M DRAM的技術攻關中，NEC強調技術體系的統一性，要求在64M的基礎上實現技術升級，而日立強調技術的創新和突破，要求採用新材料、新結構等新技術尋求技術突破。NEC認為統一性能保證較高的成品率，而日立則是優先考慮用新技術帶來突破，再去研究統一性問題。NEC強調統一性，而日立提倡突破性，這是兩種完全不同的研發文化，帶來的思維方式完全不同的，這使得DRAM關鍵技術研發上，爭吵不已、拖沓冗長，完全落後於韓國人的研發進度。
第三，工藝、設備等生產供應鏈的不兼容。爾必達成立後，沒有及時將關鍵工藝的供應鏈進行整合，比如清洗液和清洗設備，NEC、日立、三菱居然都是不同的，在關鍵技術研發上，甚至出現了NEC研發中心開發的新技術，根本無法完全應用於日立的生產體系中，這使得NEC研發中心開發新技術後，需要先經過日立研發中心的調整和驗證，才能夠應用於原來日立的生產工藝體系中。
2016年5月，日本東芝與美國閃迪(SanDisk)，合資建設12英寸晶圓廠，投資超過40億美金，主要生產48層堆疊的3D NAND閃存芯片，希望能夠和韓國人再次較量一場。然並卵，依舊無法抵禦於依託中國大陸市場戰略縱深的三星，2017年，東芝出售半導體存儲器。至此，日韓半導體戰爭畫上最終句號。
一個公司，一個產業，一個國家，如果沒有科技紅利投入，沒有有效研發投入，結果只有等死。
大國啟示錄：韓國
DRAM和半導體工業產值在全球市場佔有率中的發展趨勢：殖產興業的財閥制度，產業鏈橫向、縱向一體化，廣闊的戰略縱深-大國市場;獨立自主的技術研發體系。
越南戰爭爆發，美國開始扶持韓國人，1969-1980年，十年時間初步建設韓國半導體工業體系，完成對中國人的追趕。1980-1986年，韓國人通過對國內市場的保護，完成企業本土化的過程。1986-1997年的第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭，在美國人的傾力扶持下，韓國人全面崛起為全球半導體大國。1998-2010年的第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭，韓國人完成了核心技術的“美國基因”轉型為“獨立自主基因”，自此，韓國成為僅次於美國的全球半導體強國。
韓國半導體工業起步最早源於日本人的幫助。1969年，日本東芝幫助韓國人建設晶圓廠。同年，三星通過為三洋代工12英寸黑白電視機、洗衣機、冰箱等產品，第一次進入半導體電子產業。1975年在三洋完成對三星的技術轉移後，韓國政府修改外資投資法規，堅持不對合資企業開放本國市場，最終迫使日本三洋等日資停止了在韓國投資，全面退出韓國市場。
雖然無恥了點，但對於當時國小民弱的韓國人而言，為建設強大的國家工業體系，似乎所做的一切又都是“高尚”的。直到今天，韓國人依舊嚴密的保護著本國國內市場。思密達，我的還是我的，你的也是我的，嘿嘿。
1973年韓國將半導體電子列為六大戰略產業之一，成立國家科學技術委員會和國家投資基金，引導高新技術發展(資金主要來自美國)。針對韓國產業技術薄弱的狀況，工貿部提出電子零件六年國產化計劃，由國家設置科研機構，培訓半導體工程師，初步形成韓國人在半導體專業人才方面的培養。
1974年曾任職於摩托羅拉的韓裔半導體工程師姜基東回到韓國，與通用電氣合資，成立韓國第一家半導體企業-韓國半導體(Hankook半導體)。三個月後，三星收購了姜基東手裡50%的股權。1978年，韓國電子技術所通過與美國硅谷的公司合資，建造韓國第一條3英寸晶圓生產線(比中國臺灣工研院晚2年)，並在1979年生產出16K DRAM，這是韓國人第一次掌握超大規模集成電路VLSI技術。
韓國在美國技術扶持下，DRAM技術取得突破，瞬間反超中國大陸，韓國人直接從16K DRAM起步，十年時間，韓國人初步建立完整的半導體工業體系。
1980-1985年，韓國人在美國人扶持下，僅僅用了5年時間，快速取得並掌握16K、64K、256K DRAM等關鍵技術的研製，一舉超越中國人過去三十年的所有努力。這一時期，美國人對於韓國人的援助超過20億美金。
韓國三星，關鍵技術來自美國-鎂光科技，關鍵設備也獲得美國人全力扶持。1984年鎂光科技向韓國三星轉讓256K DRAM量產技術，同時美國西翠克斯(CITRIX)公司向三星轉讓高速處理金屬氧化物MOS的設計技術。
韓國現代(後為海力士)，1984年美國人將16K、64K SRAM技術轉讓給現代電子。1985年美國德州儀器向現代轉讓64K DRAM的生產工藝流程，全面提高現代的半導體生產工藝技術。
由此，韓國人開始具有了和日本人競爭的資格了，並完成從追趕中國人到超越中國人。
1986-1997年，第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。面對日本人的閃電戰，韓國人根本無力抵抗，三星一年虧損高達3億美金。1986年，英特爾和IBM緊急動員，聯手對三星進行技術和經濟扶植。同時依據《美日半導體協議》對日本人的約束，美國人對韓國人放開美國國內市場，韓國半導體企業迅速在美國國內市場佔據30%的DRAM市場份額，僅僅一年時間，1987年三星實現扭虧為盈，度過最艱難和危險的時刻。
就這一點，日韓半導體戰爭就已經不再是單純的科技戰爭，已經涵蓋政治、軍事、經濟等國家層面的大政方針。就這一點，DRAM內存已經不僅決定一個國家半導體工業的命運，更決定一個國家能否成為科技大國、強國的命運。
有了美國人的幫助，韓國人獲得了很多東西，技術上獲得16K、64K、256K DRAM等核心技術，獲得CMOS生產製程工藝和流程等;利用《美日半導體協議》獲得戰略縱深，美國人對韓國人開放當時全球最大的消費市場-美國國內市場。客觀而言，韓國半導體工業發展歷史中，美國人對韓國人的傾力扶持，這一點幾乎是不可以借鑑和複製的。但是，在整個日韓半導體戰爭中，韓國人在國家策略、科技紅利投入等方面，仍有許多值得我們借鑑的地方。
第一，構建韓國人版本的“官產學”三位一體，殖產興業的財閥制度。
1986年，在美國顧問建議下，韓國政府舉國之力，重金研製DRAM，並將4M DRAM列為國家項目。由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯合三星、LG、現代和韓國六所大學，一起對4M DRAM進行技術攻關，目標是到1989年，開發並批量投產4M DRAM，完全消除與日本人的技術差距。該項目三年中的研發費用高達到1.1億美金，韓國政府承擔其中57%的投資。由此，韓國人版本的“官產學”一體成型。
在全球半導體工業發展歷史中，依託政府、企業、科研院校力量完成重大國家項目的攻關和突破，無論美國、中國和日本，韓國人是最為極致的，非常類似於日本明治維新時代的“殖產興業”的財閥制度。客觀而言，在舉國體制進行重大項目攻關上，韓國人的“殖產興業”財閥制度，其效率是大大優於日本人的“官產學”三位一體，恐怕也只有中國的新時代中國特色的社會主義制度能夠相比較。
第二，加大科技紅利之有效研發投入，壓強原則，快速提升壓強係數，對重點項目重點攻關。
從1990年開始韓國三大企業重金投入，建立了完善的趕超日本DRAM產業的研發體系。三星建立26個研發中心，LG建立18個，現代建立14個。與之對應的是，研究費用成倍投入，1980年三星在半導體領域的有效研發投入僅有850萬美金，到1994年已經高達9億美金。在專利技術方面，1989年韓國的專利技術應用有708項，1994年已經上升到3336項。
科技紅利投入，特別是有效研發投入，使得韓國人僅僅用5年時間，就完成對日本人的追趕，僅僅用3年時間，就完成對日本人的超越。三星第一塊64K DRAM投放市場時是1984年，比日本人足足晚了40個月;第一塊256K DRAM投放市場時是1986年，比日本人晚了24個月;但第一塊1M DRAM投放市場時是1986年，比日本人只晚了12個月;而1989年三星第一塊4M DRAM與日本人幾乎是同時投放市場的。到1992年，三星開始領先日本，推出全球第一個64M DRAM產品。
而同時期的日本半導體工業，從1985年開始日本經濟進入泡沫化，全民炒房。1985年日本人砍掉了40%的設備更新投資和科技紅利投入，1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降低到只有2650億日元，下降幅度達80%，這就給韓國人反超的機會。這就是大家所熟悉的，韓國人在半導體領域的所謂的第一次“反週期投資”。
從1992-1999年，韓國人通過持續科技紅利之有效研發投入進一步夯實64M DRAM勝利果實的基礎上，通過壓強原則，擴大對日本人的競爭優勢，完成了從追趕到超越的大逆襲過程。
1990年，16M DRAM，韓國人推出的時間滯後於日本人3個月。1992年，64M DRAM，韓國人略微領先於日本人，到1998年，韓國人全球第一個開發256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。到1999年，韓國人全球第一個開發1G DRAM。
從科技紅利思想的角度，我們看看韓國人又是如何通過提高壓強係數，實現對日本人的逆襲。
通過上圖，我們可以清晰看到，1992年韓國人64M DRAM略微領先於日本人和美國人成功研製後，韓國人並沒有停下科技紅利之有效研發投入，1993年反而通過壓強原則，重點攻擊，科技紅利之有效研發投入同比增長70.19%，鞏固對日本人的領先優勢。1995年韓國人再次快速提升壓強係數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度提升，同比增速高達96.82%，之後1996-1997年連續兩年保持高位壓強係數狀態。這才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的全球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。
第三，產業鏈垂直一體化，加強上游設備和電子化學品原材料的國產化。
上世紀90年代，韓國政府主導推出總預算2000億韓元(2.5億美元)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品原料供應鏈。韓國工貿部在漢城南部80公里的松炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。為了獲取先進技術，韓國人以優厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS(大日本網屏)等廠商，在韓國設立合資公司。
由此，韓國人半導體產業鏈上游關鍵設備和電子化學品原材料初具規模。
第四，產業鏈橫向擴張，從存儲器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。
以三星為例，通過與美國、歐洲企業建立聯盟合作關係，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產業資源：從美國SUN公司引進JAVA處理器技術;從法國STM(意法半導體)引進DSP芯片技術;從英國ARM引進音視頻處理芯片技術;與日本東芝、NEC、衝電氣(OKI)展開新型閃存FLASH方面的技術合作等。
客觀而言，產業鏈橫向擴張對於中國是很難複製的，因為西方列強根本不會對社會主義中國輸出半導體集成電路芯片的核心技術，即使我們溢價用鉅額資金購買也是諸多困難。但堅持產業鏈的橫向擴張，這是成為半導體強國的必經之路。
1992年三星全球第一個成功研製64M DRAM。64M DRAM，硅片直徑為200-250mm，芯片面積為135mm2，集成度為140000000，採用的主要技術為超淨技術和3.3V低電壓化技術。在集成度方面，韓國人是日本人的360%。
依靠64M DRAM，三星超越日本NEC，首次成為全球第一大DRAM內存製造商，之後連續25年蟬聯世界第一，成為全球半導體內存市場第四個霸主。
到1996年三星的DRAM芯片出口額達到62億美金，居世界第一，日本NEC居第二。現代以21.26億美金居第三位。LG以15.4億美金居第九位。不到十年時間，韓國人一舉打垮日本人，牢牢佔據了全球半導體內存市場。
至此，韓國人全面崛起於日韓半導體戰爭，成為全球半導體工業大國。我們再次回顧韓國人崛起的歷史過程。
1968-1980年，在美國人幫助下，韓國人完成對中國的追趕，初步建立了半導體工業體系。半導體工業產值從不足2000萬美元，增加到15億美金以上。半導體出口產值從300萬美金，增加到11億美金以上。
1980-1985年，韓國人在美國人扶持下，僅僅用5年時間快速完成並掌握16K、64K 、256K DRAM的關鍵技術的研製，一舉超越中國人過去三十年的所有努力。這一時期，美國人對於韓國人的援助超過20億美金。5年時間，韓國半導體工業產值達41.87億美金，期間增長176%;韓國半導體出口產值達25.33億美金，期間增長113%。
1986-1997年，第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。美國人“扶韓抗日”，在美國人全力扶持下，特別是1985、1991年《美日半導體協議》的簽署，到1994年韓國人在64M、256M DRAM完成對日本人的從追趕到領先。這一時期，韓國半導體工業產值超過225億美金，期間增長437%;韓國半導體出口產值131億美金，期間增長418%。韓國人完成從半導體發展中國家到全球半導體大國的轉變。
1998-2010年的第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭，韓國人完成了自身DRAM核心技術的“美國基因”轉型為“獨立自主基因”，最終實現了從半導體大國蛻變為半導體強國。在這一時期，韓國人主要的成功經驗有：
第一，挺進中國大陸市場，構築廣闊的戰略縱深。
如同日韓半導體戰爭中，美國人放開美國國內市場給韓國人一般。挺進中國大陸市場，韓國人具有了廣闊的戰略縱深。
我們以海力士為例：
陷入1997年東南亞金融危機的韓國海力士(Hynix)，以3.8億美金的價格，將TFT-LCD部門整體售給京東方，海力士就此專注於DRAM領域，並獲得寶貴的資金和中國市場。2004年，海力士和意法半導體在無錫設立12寸晶圓廠，項目總投資20億美金。其中，海力士和意法半導體出資10億美金，主要是2億美金的二手設備折價、5.5億美金現金和2.5億美金股東貸款。另外10億美金由無錫市政府承擔。另外，在20億美金總投資之外，無錫市政府還承擔廠房建設，無錫市政府一共出資3億美元建設兩座佔地54萬平方米，面積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。
2006年海力士90納米技術生產的8英寸晶圓順利下線，合格率超過95%。工商銀行江蘇分行牽頭，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款團對無錫海力士項目放貸5年期的7.5億美金貸款。
海力士拿著韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依靠中國資金、土地、工人和中國市場，用區區3億美金撬動了一項20億美金的投資。
面對東南亞危機，依託中國市場戰略縱深，韓國人僅用2年時間就恢復了元氣。特別是海力士，2000年，DRAM整體月產量由第三季度的6500萬顆，第四季度就快速擴增到8000萬顆，增長了23.07%，同時128M以上產品的生產比重由20%提高到36%。
128M DRAM：3個月內，月產量由650萬顆提高到1400萬顆，增長了115%。
256M DRAM：4個月內，月產量由40萬顆提高到140萬顆，增長了250%，生產比重由2.4%提高到6%。
2008年全球金融危機爆發後，一年時間內，全球DRAM產業累計虧損超過125億美金，臺灣省DRAM產業更是全線崩盤。南亞科，從2007年起連續虧損六年，累計虧損1608.6億元新臺幣(49億美金)。華亞科技從2008年起連續虧損五年，累計虧損804.48億元新臺幣(24.4億美金)。這兩家由臺塑集團投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元(73億美金)。其他臺灣DRAM企業虧損分別為，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。臺灣五家DRAM廠幾乎每天虧損1億元，合計虧損1592億元新臺幣(48億美金)。
反觀韓國人，依託中國大陸市場的戰略縱深，憑藉無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時間就恢復元氣。2009年第一季度，海力士淨虧損為1.19萬億韓元(9.33億美金)，2009年第二季度，淨虧損僅為580億韓元(0.45億美金)。到2009年下半年，海力士扭虧為盈。2010年第一季度，海力士淨利潤暴漲到7.38億美金。2010年全年，海力士全球銷售額達到12萬億韓元(107億美金)，淨利潤高達26.7億美金。
金融危機中，依託中國大陸市場，韓國人化“危”為“機”。隨後，海力士又向中國商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80納米工藝)並迅速通過審批。這就是韓國人所謂的“反週期投資”。
再比如，三星，依託中國大陸市場縱深，在“韓日NAND FLASH戰鬥”中，徹底打垮老對手日本東芝。
2011年韓國三星與日本東芝在NAND FLASH領域展開全球競爭。當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)和美國德州奧斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定新建NAND FLASH工廠。
經過談判，三星最終選擇落戶中國西安，項目總投資300億美金，分三期建設。西安市為此項目提供了鉅額補貼，包括：1、三星需要的130萬平方米廠房，由西安市建設並免費提供1500畝土地。2、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。3、西安市財政對投資額進行30%的補貼。4、西安市對所得稅徵收，前十年全免，後十年半額徵收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施，總的補貼金額保守估計在300億元以上。
我們需要注意的是，2011年三星半導體全球銷售金額也不過才285.63億美金，300億美金總投資的西安項目對於“韓日NAND FLASH戰鬥”的意義之重大性，不言而喻。當三星的西安項目落成之後，2016年東芝就過不下去了，2017年東芝不得不出售存儲部門。韓國人幾乎是不費吹灰之力就贏取了這場“韓日NAND FLASH戰鬥”，這就是韓國人的“反週期投資”。
今日，還有多少人記得，NAND FALSH是日本人發明的呢?
早在1980年，日本東芝的藤尾增岡招聘4名工程師啟動一個秘密的項目以研發下一代存儲芯片，實現存儲大量數據，並且讓用戶可以買得起。藤尾增岡聲稱：“我們知道只要晶體管在尺寸上降下來，那麼芯片的成本也將會下降。”很快推出了一款EEPROM的改良產品，記憶單元由1個晶體管組成。在當時，常規的EEPROM每個記憶單元需要2個晶體管，這個小小的不同對價格帶來了巨大的影響，日本人將這個芯片稱為FLASH，這個名字也是因為芯片的超快擦除能力，FLASH芯片基於NAND技術，這一技術可以提供更高容量的存儲，並且更容易製造。1989年，東芝首款NAND FLASH上市。
中國大陸市場這一廣闊的戰略縱深，在2008年全球金融危機，使得韓國人僅僅一年時間就恢復元氣進而徹底打垮臺灣人，在全球半導體存儲器的壟斷地位一直延續至今。
全球半導體產業的競爭，已經不僅是科技的競爭，更是涵蓋政治、經濟等綜合實力的國運之戰。具有一個廣闊的戰略市場縱深，意義是非凡的。這一點韓國人並不會告訴你，他們只會說，這叫“反週期投資”。沒有中國大陸市場戰略縱深，韓國人敢這麼玩“反週期投資”嗎。作為產業研究員，作為種花家新一代的半導體人，我們不能夠人云亦云，簡單的複製別人的觀點，要獨立自主的思考和分析。
第二，國家力量出手，進行12寸晶圓、設備等大投入，並完成內存核心技術的“獨立自主”化。
面對東南亞金融危機，韓國政府出臺四年計劃，投資2650億韓元(2億美金)，引導企業向高性能CPU處理器、12寸晶圓設備等尖端領域發展。
在韓臺半導體戰爭初期，面對美國人全力扶持臺灣人，挑起Rambus和DDR DRAM內存標準戰爭，韓國人由此完成DRAM內存核心技術從“美國基因”轉型為“獨立自主基因”。
2002年英特爾主推Rambus內存完敗於DDR DRAM內存，DDR DRAM成為市場主流標準。韓國人完成了核心技術的“獨立自主”化，隨後在512M GDDR4、JEDEC標準8G DDR2 R-DIMM、50nm 1G DRAM、60nm 1G DDR 800MHz基礎模塊、全球最高速200MHz 512M Mobile DRAM、30nm 64G NAND FLASH、全球最高速MobileLPDDR2、MetaRAMtm技術16G 2-Rank RDIMM、40nm DRAM、44nm DDR3 DRAM等，創造無數個全球第一。這是韓國人在全球DRAM內存產業最輝煌的時期。
由此，三星和海力士成為韓國半導體，乃至全球半導體內存市場的兩大豪門，雙寡頭壟斷格局由此奠定。
縱觀韓國半導體工業發展歷程，起步發展於第一次全球半導體硅含量提升週期，在美國人扶持下，韓國人快速分享PC電腦快速普及的時代。在第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭中，第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭中，韓國人充分分享第二次、第三次全球半導體硅含量提升週期所帶來的筆記本、手機、家電、智能手機等快速普及的市場紅利。
經歷了兩次全球DRAM世界大戰洗禮的韓國人，具有了獨立自主基因的核心技術體系，依託中國大陸市場戰略縱深，2010年至今，韓國人依舊牢牢掌控全球內存市場，無人能夠撼動其在全球半導體存儲器芯片市場第一霸主的地位。
啟示錄：中國臺灣省
DRAM和半導體工業產值在全球市場佔有率中的發展趨勢：缺乏強有力的“國家力量”，缺乏獨立自主的核心技術研製能力、缺乏中國大陸市場戰略縱深、人才流失、缺乏科技紅利之有效研發投入。
上世紀70-80年代，在美國人的扶持下，中國臺灣省半導體工業開始起步，無論是半導體人才培養和完整工業體系建設方面，都打下很好的基礎。在美國人的幫助下，臺灣人在DRAM產業方面是從64k DRAM開始起步的，這領先於韓國人的16K DRAM，更是一舉從落後中國大陸二十年到一夜之間實現反超。
在第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭中，1997-2006年，依靠美日歐的援助和技術扶持，臺灣人DRAM產業呈現快速的發展，進而帶動臺灣人半導體產業的快速上行。2007-2009年，全球金融風暴爆發，因為缺乏獨立自主的核心技術以及中國大陸市場的戰略縱深，臺灣人完敗於快速恢復元氣的韓國人，就此臺灣人DRAM日落西山。2010至今，雖然有臺積電成為全球代工之王，但是依舊無法逆轉檯灣人半導體工業的下行頹勢。
在1970-1980年，十年時間，臺灣人在半導體工業發展方面，做了很多的基礎工作。1973年成立工研院。1975年開始向美國派遣留學生進行半導體方面的培訓，那一時期，臺灣省湧現許多大量優秀的半導體專業人才，這構成了90-00年代中國臺灣省半導體工業興起的寶貴人才資源。
在美國人的扶持下，臺灣省DRAM直接從64K DRAM起步，比韓國人的16K DRAM起步具有領先的技術優勢，更是一夜之間從落後中國大陸20年到實現反超。1977年10月工研院建成第一條3寸晶圓生產線，比韓國要早1年。1978年1月工研院成功生產出電子鐘錶上使用的TA10039器件，這為臺灣省迅速成為世界三大電子鐘錶出口地之一打下基礎。1979年9月工研院電子所成立聯華電子公司籌備辦公室，由電子所副所長曹興誠負責。1980年聯華電子建設4寸晶圓廠，主要生產電子錶、電子樂器、程控電話等民用產品IC部件。
由此，臺灣省半導體電子工業體系初具雛形。
在80年代末到90年代初，十年期間，臺灣省半導體DRAM產業呈現很好的良性循環，兩步走，一是獨立自主自建，二是在西方援助下共同合資。由此湧現了臺積電、聯電、世界先進、世大、南亞科、德碁、力晶、華邦電、旺宏等一批具有一定規模化生產、研製能力的半導體公司，這一時期，臺灣省比較完整的半導體工業體系成型。
韓臺半導體戰爭的第二階段，隨著全球金融危機的爆發，臺灣省DRAM產業一蹶不振。主要原因在於，第一，臺灣省DRAM產業缺乏獨立自主的核心技術，第二，中國臺灣省“民進黨地區政府”錯誤的政治選擇，放棄中國大陸市場戰略縱深。
為了挽救危機重重的臺灣省DRAM產業，2009年中國臺灣省“地區政府”成立-臺灣記憶體公司TMC，由聯電副董事長宣明智負責，對六家DRAM廠進行控股整合，同時與爾必達和鎂光展開談判，共同合作推進自主技術的研發。
在全球金融危機中陷入困境的爾必達，當時非常願意向臺灣人提供全部核心技術，以換取臺灣人的援助資金。但是各家DRAM公司卻並不願意整合，因為各家公司背後都有不同的技術合作對象，採用的技術標準不同，臺灣人DRAM整合工作很難推進。與此同時，臺灣省媒體也在煽風點火，如2009年3月7日，自由時報以《國發基金小心掉進大錢坑》為標題，指稱TMC是個錢坑，DRAM產業面臨產能過剩、流血競爭等。2009年10月，“DRAM產業再造方案”在臺灣省的立法院審議時遭到否決，禁止國發基金投資TMC公司，臺灣省DRAM產業整合計劃失敗，臺灣省半導體DRAM產業，徹底完敗於韓國人。
自此，臺灣人二十年的努力，臺灣省DRAM內存產業，超過1萬6千新臺幣，摺合500億美金的投資，一朝化為灰灰。
2010-2017年，隨著臺灣省DRAM產業日落西山，雖有臺積電成為全球代工之王，但是已經無法改變臺灣省半導體工業的整體頹勢，中國臺灣省半導體工業產值佔據全球半導體的份額比例呈現逐年下滑趨勢。
2009年全球金融危機爆發，第三次DRAM世界大戰中，歐洲人“借臺抗韓”失利，奇夢達宣佈破產，同年，臺積電打斷中國DRAM崛起的歷史進程-中芯國際被迫宣佈2010年1月1號退出DRAM。2010年，臺灣省半導體DRAM產業，結束了自金融危機以來連續三年的下滑，2010年臺灣省DRAM產業工業產值同比增長高達65.23%，產值超過2700億新臺幣，超過了金融危機之前的2007年的高點2600億新臺幣，但仍低於2006年最景氣高點的3000億新臺幣。
2012年日本爾必達宣佈破產保護，鎂光科技收購爾必達，因為瑞晶主要為爾必達代工，產能相應併入鎂光。2013年臺灣省DRAM產業景氣反彈，DRAM整體產值超過2200億新臺幣，但無法恢復到2006、2010年景氣高點。
2015年鎂光科技宣佈收購臺灣華亞科。至此，臺灣省原有的6家DRAM大廠，變成4家。
臺灣省半導體產業的興衰，特別是DRAM產業的敗亡，有許多值得我們深思的地方：
第一，缺乏“舉國體制”的“國家力量”對重點項目進行攻關。
和日本“官產學”三位一體、韓國人“殖產興業”財閥制度相比較，臺灣人缺乏一個強有力的“國家力量”對超大規模集成電路進行組織攻關。
工研院幾乎沒有力量對各個企業進行組織和整合，比如日本VLSI技術研究所，設立6個研究室，整合日立、NEC等日本五大巨頭，聚集力量對重點項目進行攻關。
和韓國人的殖產興業的財閥制度，國家力量，那就更加沒法比了。
工研院同時內部也是矛盾重重，作為本土派，關於發展代工，還是獨立自主研製，巨大分歧無法調和。
第二，缺乏獨立自主的核心技術研究能力。
第三，缺乏中國大陸市場戰略縱深。
在第一次DRAM世界大戰，日本人具有本土和美國市場;第二次DRAM世界大戰，韓國人具有美國市場;第三次DRAM世界大戰，韓國人具有了中國大陸市場。而臺灣人呢，“拒絕西進大陸”，東南亞金融危機對臺灣省DRAM產業影響還不算嚴重，但2008年全球金融危機爆發，臺灣省DRAM產業各種短板和弊病就全面暴露，幾乎沒有翻盤的能力了。
第四，人才流失。
無論是“本土派”還是“技術引進派”之間的矛盾，還是“本土-代工派”和“獨立自主派”之間的矛盾，都造成了臺灣省半導體專業人才流失。比如張忠謀統合“代工派”後，張汝京回到中國大陸、曹興誠遠走新加坡，不可否認都造成部分人才流失。
專業的半導體人才是半導體大國、強國崛起的基石。專業的半導體人才是半導體工業的第一生產力。
第五，缺乏科技紅利之有效研發投入。
三次DRAM世界大戰，日本反超美國人(256K、1M DRAM)，韓國人反超日本人(64M DRAM)、反超美國人(Rambus和DDR DRAM標準之爭)，最大的底氣就是具有獨立自主的核心技術體系，獨立自主的核心技術體系建立的唯一手段就是科技紅利之有效研發投入。
1978-1980年，日本人舉國體制，官產學三位一體，推進DRAM在產業化方面，日本政府為半導體企業，提供高達16億美金的鉅額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業打造DRAM產業集群，建立獨立自主的核心技術體系，包括上游核心關鍵設備。
1982-1986年間，韓國半導體三家財閥在DRAM產業，有效研發投入超過15億美金以上，相當於臺灣省投入的10倍，建立了獨立自主的核心技術體系，包括產業鏈上游核心設備和原材料，包括產業鏈橫向擴張。
比如南亞科，2005-2007年，每年技術轉讓費用超過1億美金以上，佔據當年度營收收入的6-7%。產業景氣的時候，問題還不明顯，一旦危機爆發，幾乎就沒有抵禦能力了。
半導體大國、強國崛起之路，獨立自主的核心技術才是王道，科技紅利之有效研發投入，才是建立獨立自主核心技術體系的唯一手段。
大國啟示錄-歐洲，DRAM和半導體工業產值在全球市場佔有率中的發展趨勢：缺乏國家力量主導。
上世紀70-80年代，歐洲人開始在半導體和DRAM方面起步，通過收購美國半導體公司初步建立自身完整的半導體工業體系，比如ST意法半導體、飛利浦半導體等。在第一次、第二次DRAM世界大戰中，歐洲都比較邊緣，從上世紀90年代開始，歐洲人開始將目光轉向了亞洲的東方，並且深度參與了第三次DRAM世界大戰-韓臺半導體戰爭，從西門子半導體到英飛凌，再到奇夢達，歐洲人“借臺抗韓”的美夢破滅，深陷泥潭，2009年奇夢達破產，正式宣告歐洲人告別全球DRAM戰爭舞臺。自此，歐洲人在全球半導體和DRAM產業一蹶不振。
歐洲半導體工業在上世紀70年代，通過收購美國公司，初步建立自身完整的半導體工業體系。歐洲半導體三強：西門子、飛利浦、意法。
西門子半導體(英飛凌/奇夢達):深度參與了第三次DRAM世界大戰-韓臺戰爭中，臺灣人“歐洲技術引進派”的幕後老闆，最終煙消雲散。
1996年，西門子和中國臺灣省茂矽公司合資，投資450億元新臺幣，成立茂德電子，建設8寸晶圓廠，採用西門子提供的工藝製程生產DRAM。
1998年，西門子半導體獨立，成立英飛凌，繼承了西門子在半導體領域的三萬多項專利，是當時僅次於三星、鎂光的全球第三大DRAM廠商。
2003年1月，英飛凌和南亞科技合資，成立華亞科技，雙方各佔股46%，投資22億美金，建設12寸DRAM晶圓廠。
2004年，英飛凌和中芯國際合作，向中芯國際轉移0.11微米DRAM製造技術，中芯國際為其代工。後臺積電發起針對中芯國際的全球訴訟，中芯國際被迫全面退出DRAM。
2006年，英飛凌內存部門獨立，成立奇夢達。
2008年，中芯國際面臨臺積電在美國的337調查和訴訟，奇夢達終止和中芯國際的合作。
2009年1月23日，深陷全球金融危機的奇夢達破產。隨後，其在中國臺灣省最大合資公司-華亞科技，被鎂光收購。
荷蘭飛利浦：
1975年，飛利浦收購發明了555定時器的美國西格尼蒂克(Signetics)。
1985年，飛利浦與工研院進洽談，希望在中國臺灣省設立晶圓廠。
1987年2月，臺積電成立。由中國臺灣省“行政院國家開發基金”出資1億美金，佔股48.3%，飛利浦佔股27.5%，臺塑等7傢俬營企業佔股24.2%。至今，這仍是飛利浦在亞洲回報率最好的一筆投資。
2006年，飛利浦半導體獨立，成立了恩智浦NXP，專注於射頻電路領域。
2016年，NXP被美國高通要約收購。
意法半導體：
1988年，由意大利SGS微電子和法國Thomson半導體合併而成。上世紀80年代，曾經全球DRAM內存市場第二個霸主的美國莫斯泰克陷入困境，被美國聯合技術UTC以3.45億美金收購，後再轉手賣給意法。
2004年，意法和韓國海力士聯手在中國無錫建設DRAM廠。
2010年，意法專注於專有集成電路ASIC、電源轉換芯片、MCU。
2017年，意法宣佈投資30億美金，建設12寸晶圓廠。
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