Cree，Inc是美國全球製造商和照明級LED，照明產品和電力和射頻（RF）應用產品的營銷商。它的大多數產品都是基於碳化硅（SiC），這是一種罕見的天然礦物化合物，早期的Cree研究人員在實驗室成功合成了這種化合物。SiC在需要高耐久性的應用中以及在高溫或高電壓或兩者中工作的半導體器件中實現更高的性能。
近日Cree表示，由於需求不斷增長，特別是在中國，該公司將在未來5年斥資10億美元提高整體碳化硅產量。碳化硅（SiC）是用於功率半導體的硅的新興替代品，以減少充電時間並增加電動車輛行駛里程。它還用於提高太陽能逆變器，工業電機和蜂窩基礎設施的效率。
Cree計劃將總投資的4.5億美元用於擴建位於北卡羅來納州研究三角地帶的碳化硅生產廠。該公司表示，北晶圓廠將在2024年前開始生產200mm芯片，旨在生產汽車級芯片。Cree表示，另外4.5億美元的資本支出將用於提高碳化硅材料的產量。該公司還向其他半導體供應商銷售碳化硅材料。
Cree首席執行官Gregg Lowe表示:“我們看到了汽車和通信基礎設施行業對利用碳化硅的好處的巨大前景市場。然而，對碳化硅的需求早已超過了現有供應。碳化硅是一種所謂的寬禁帶半導體，因為它可以承受更高的熱量，處理更高的電壓，並提供比硅更高的轉換速度。
他在一份聲明中表示:“與2017財年第一季度相比，在設備、基礎設施和勞動力方面的投資，能夠將我們的碳化硅晶圓製造能力提高至多30倍，將我們的材料產量提高至多30倍。”Cree還生產氮化鎵(通常稱為GaN)——另一種用於高壓、高熱電子設備的先進半導體。
這一支出計劃顯示出Cree正積極加強其半導體業務。去年，該公司斥資4.3億美元收購了英飛凌的射頻功率半導體業務，進一步進軍手機基礎設施解決方案市場。今年3月，該公司以3.1億美元的價格出售了照明業務，這是其成為更精簡的SiC和GaN芯片供應商戰略的一部分。
Yole development pement power electronics分析師Milan Rosina表示，隨著分立芯片成本下降以及其他挑戰得到解決，預計碳化硅芯片的銷售額將從2019年的6.15億美元躍升至2023年的15.8億美元。IHS Markit的電力半導體分析師Richard Eden表示，到2027年，用於電動汽車動力總成逆變器的SiC和GaN元件的銷售額可能飆升至100億美元。
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