半導體:十年產業投資大機會

來源:內容來自「國盛證券」--鄭震湘團隊,謝謝。

中國半導體市場規模佔全球比重持續提高。

據中國半導體行業協會等統計,2017年受存儲器漲價影響和物聯網需求推動,全球半導體收入約4122.21億美元,同比增長16%。

預計2018年全球半導體收入達到4779.36億美元,實現連續3年穩步增長。

其中,中國為全球需求增長最快的地區。2017年國內半導體銷售額為1102.02億美元,同比增長19.9%。

隨著5G、消費電子、汽車電子等下游產業的進一步興起,疊加全球半導體產業向大陸轉移,中國將持續成為全球最大和貿易最活躍的半導體市場。預計2018我國半導體銷售額再增20%,達到1322億美元。

我國集成電路市場增速全球第一。

2016年我國集成電路銷售額624.98億美元,2017年為828.15億美元,同比增長32%,是全球集成電路產業增速最快的區域。預計2018再增20%,達到993.1億美元。

統計2000年以來18年間集成電路產業銷售規模年均增速,中國CAGR為20.6%,全球CAGR為4.8%。中國集成電路產業持續擴大,在全球的佔比持續提高,已成為全球主要消費市場。

半导体:十年产业投资大机会

中國半導體市場增速在17Q3至18Q1曾短暫低於全球增速,主要由於國內存儲器產業仍處於突破初期,而本輪半導體景氣度主要推手為存儲器產業,所以導致國內產業增速短暫低於全球增速,但長期來看我國半導體產業佔全球比重提升的大趨勢沒有改變,長期增速將始終維持較高水平。

產業第三次轉移,中國佔比不斷提高。從我國半導體產業遷移歷史來看,各細分板塊均經歷了技術突破、份額提升、國際領先三個階段,其中光伏、顯示面板、LED等泛半導體產業經過多年發展,均已達到國際領先水平。

目前半導體封裝測試、IC設計等產業已經站穩腳跟,進入份額提升期。半導體制造、設備、材料等方面,我國相關技術不斷突破,有望在區域聚集屬性下,重演產業遷移之路。

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國之重器、大投入加快推進

國產化需求快速提升,各大領域不斷突破

國內現狀:自給率亟待提升,產業鏈佈局完善

中國集成電路市場增速全球第一,三業發展日趨均衡,雖然核心芯片自給率仍然較低,但產業鏈佈局齊全。

據中國半導體行業協會統計,中國集成電路行業銷售額從2013年的2508.5億元增長至2017年5411.3億元,四年間翻了一番,是全球發展最快的區域。

但核心芯片(如計算機系統CPU/MPU、通用電子統FPGA/EPLD/DSP、通信裝備嵌入式MPU/DSP、存儲、顯示及視頻驅動)自給率低。

據前瞻產業研究院數據,2017年我國芯片自給率約11.2%,預計2020年國產化比例15%。

從設計、晶圓代工、封測、設備四方面來看:

Fabless為三業中發展最快,高端產品空白有待填補。

我國設計產業銷售規模從1999年的3億元增長到2018年的2576億元,GAGR~+42%。存儲、邏輯、模擬、射頻、傳感、功率半導體等產品線及其細分領域均有佈局,但高端芯片如WIFI芯片,藍牙芯片,交換機芯片,FPGA芯片等國產化率接近零。

向高性能、高端產品轉變、領導行業標準升級,獲取產品生命週期中利潤最豐厚的關鍵時段,是未來IC設計方向國產化突破方向。

晶圓代工國產化率為三業中最高。以中芯國際、華虹半導體為代表的大陸晶圓代工廠漸露曙光。2018上半年,中芯國際和華虹半導體分別以17.28億美元和4.33億美元營收位列全球十大晶圓代工第五和第九。

新增需求來自於物聯網、車用電子、雲端運算、人工智能、消費性電子等終端以及本土Fabless崛起促進晶圓代工服務需求增加。

本土封測業高速增長,規模進一步擴大。

據中國半導體行業協會封裝分會統計,2017年國內集成電路測試產業銷售額由2016年的1523,2億元增至1816.6億元,同比增長19.3%。

然而先進封裝技術、綜合技術水平仍存在相當差距,自主創新能力仍顯不足。

國內封測產業鏈不甚健全,對設備、材料的依賴,裝備和材料的國產化水平有待提高。

設備方面,據SEMI數據,2018年全球設備銷售金額超600億美元,其中我國僅次於韓國,以118億美元市場和43.5%的增長率排名第二。

預計2020年我國半導體設備市場規模將達到663.96億元。

目前,我國半導體設備市場仍非常依賴進口,但從產業佈局角度來看,國內廠商佈局極為完善,幾乎覆蓋半導體生產製造過程中每個環節所需的所有主要設備。

拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測、封裝等各個環節均有多家國內廠商佈局覆蓋。

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存儲:大國市場縱深孕育關鍵產品突破

寡頭格局下的默契聯盟

寡頭格局下,理性競爭關係有望長期維持。

以本次存儲景氣度主要抓手DRAM為例,三星、海力士、美光三巨頭享有DRAM市場95%以上的份額,綜合考慮份額、製程、成本、護城河、市場成長性、下游穩定性、擴產能力、公司口徑等八項因素,我們認為目前的寡頭格局仍然牢固,供給端大概率將延續目前理性的競爭格局,盲目擴產可能性較小,供需關係有望長期維持健康結構。

半导体:十年产业投资大机会

DRAM市場目前整體仍呈現“三星、海力士、美光佔據90%以上份額,臺灣省廠商走利基路線”的局面。

18Q2三星、海力士、美光市場份額為43.6%、29.9%、21.6%。供需方面,DRAM產業鏈供需優秀,Q2淡季同步補庫存,如純DRAM廠商南亞科,庫存回補同步於營收增長。

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產能方面,我們結合各家定期報告與Gartner等研究機構統計數據,預計2018全球平均DRAM產能為1250kWPM,同比成長7%。

其中三星產能460kWPM,增幅來自於產品組合優化和平澤一廠二層;海力士在17年底M10/14廠和西安廠共計325kWPM的基礎上,產能再增10%,到達350kWPM;而美光由於製程稍落後,擴產動力不足,月產能345kWPM,增幅4%。

DRAM位元增速趨緩,預計18全年位元增速~20%。18Q2值製程遷移攻關,各存儲龍頭廠商進度不同程度放緩,新廠在建。

美光預計,年均位元增速將達12年來低點。但考慮Q3下游智能手機新功能發佈、雲服務器DRAM需求,預計18全年DRAM位元增速~20%。

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CapEx方面,美光統計十年來年位元增長率。單位位元增長率所需CapEx持續走高,CapEx和位元產出差距擴大。

18Q2,美光、三星等CapEx策略偏向製程遷移和新品研發,海力士、南亞科等偏向新建廠間和產能擴張。三星2017全年DRAM資本支出達78億美元,主要用於DRAM製程轉移,以及填補製程轉移損失的容量消耗,金額和年成長幅度創新高。

DRAM廠商擴產步伐放緩,意在保持盈利能力。三星此前計劃在華城部分產能用於DRAM,並且在平澤二樓新增1ynmDRAM產能,但是擴產計劃始終未落實。

海力士M14的產能計劃主要用於NAND生產,新增的DRAM主要由無錫工廠提供,而無錫工廠預計要2019年才能提供營收貢獻。

美光一直沒有晶圓擴產計劃,而是專注於技術進步帶來位元增長和成本降低。

同時,南亞科也在法人說明會是表示投片將“依據DRAM應用需求增加,持續觀察產能增加情況”,再次表明業內廠商對盈利能力的關注

製程方面,三星目前仍處於絕對領先地位,主力製程18nm良率已經超過85%,估計三星內部佔比將接近五成,正往七成的比重邁進。而在17年12月份,三星更是宣佈正式量產第二代10nm級別1Ynm8GbDDR4芯片,性能提高10%同時功耗降低15%,DieSize下降約

30%。

SK海力士目前以21nm製程為主,估計佔比約七成,其餘為25nm製程。

17年受限於工廠空間,21nm製程已無再提升比重的計劃。

17年底海力士18nm製程將進入量產階段,也預計2018年將會用18nm製程擴大產出量與佔比。M10廠由於工廠較舊,轉進18nm製程將產生較大的晶圓損失,我們認為目前主要關注無錫二期的進展和具體產品、製程規劃。

美光目前主力製程仍然是20nm與25nm,17年致力於17nm製程的轉進,但從晶圓的產出顆粒來看,其17nm製程僅等同於三星20nm製程,故技術來看算是目前三巨頭中較為落後。

在產能上基本上也都已滿載,唯一還有剩餘空間可以利用的只有臺灣美光(原瑞晶)的A2廠區,此場區雖然因為17nm製程的轉進,已經有部份機臺進駐,但評估仍有部分空間可供利用,此外美光目前尚無興建新工廠計劃。

從大廠的擴廠投資看來屬於相對保守,產能擴張甚至技術轉進都將趨緩。

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設備:中國將成全球最大半導體設備市場

中國將成為全球最大半導體設備市場,同時刻蝕、沉積、清洗、檢測設備均實現國產突破。

相較於全球半導體市場的逐季下滑,中國大陸半導體設備市場呈現出蓬勃發展的態勢,前三季度銷售額逐季提升,銷售規模分別達26、38、40億美元,對應同比增速為31%、51%、106%。

SEMI數據顯示,2019年我國半導體設備市場增速有望維持在50%左右,對應全年銷售額有望超170億美元。

半導體產業東遷帶動中國設備市場高速成長

全球半導體設備市場增速放緩。

日本半導體制造裝置協會數據顯示,2017年全球半導體設備銷售額達566億美元,同比增長37%。

但2018年以來,全球半導體設備市場銷售額逐季下滑,前三季度銷售額合計為495億美元,智研諮詢預計全年銷售額為601億美元,對應同比增速僅為6%。

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大陸晶圓廠建廠潮帶動設備需求持續增長。

根據前瞻產業研究院,目前我國晶圓廠在建產能涉及12家公司、15個項目,投資額合計4399.9億元,在建產能超過81萬/月。

預計2018年將貢獻約50萬片/月產能。

同時,根據SEMI預測,2017至2020年,中國大陸將建成投產26座晶圓廠,佔全球綜述的42%。大量晶圓廠的擴建、投產,將帶動對上游半導體設備的需求提升,更有望為國產化設備打開發展空間。

全面完整佈局,多項設備均實現國產突破

我們將從半導體生產製造流程逐一介紹設備需求,並對國產化情況進行分析。從生產流程看,芯片生產大致可分為硅片製造、芯片製造、封裝測試三部分,其中硅片製造與芯片製造兩個環節技術壁壘較高。

半導體設備市場集中度較高,且多為海外龍頭佔據主要份額。

目前,我國半導體設備市場仍非常依賴進口,從市場格局來看,細分市場均有較高集中度,主要參與廠商一般不超過5家,top3份額往往高於90%,部分設備甚至出現一家獨大的情況。

半导体:十年产业投资大机会

國內廠商在全部環節所需設備領域均有所佈局。

雖然目前國內半導體設備仍較為依賴進口,但從產業佈局角度來看,國內廠商佈局極為完善,幾乎覆蓋半導體生產製造過程中每個環節所需的所有主要設備。

拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測、封裝等各個環節均有多家國內廠商佈局覆蓋。

刻蝕設備:中微半導體、北方華創均已實現國產突破。2017年全球刻蝕設備市場規模為42億美元,2022年市場空間有望達50億美元,年均複合增長率為3.77%。

目前拉姆研究與東京電子佔據了刻蝕設備市場的主要份額,二者市佔率分別達43%、34%。

國產化方面,北方華創、中微半導體已經開發了65nm以下的刻蝕設備,部分技術已經接近甚至優於國際水平,有望充分受益於製程演進帶動的刻蝕設備需求提升。

2017年,全球薄膜製備市場為125億美元,其中沉積設備市場為80億美元,預計2025年薄膜製備市場空間為360億美元,年均複合增長率為14%。市場格局來看,AMAT佔據了主導地位,其CVD設備

市佔率近60%,PVD設備市佔率達76%。

國產化方面,北方華創PVD、LPCVD、APCVD、PECVD設備均已實現突破,中微半導體MOCVD已供應多家LED廠商,包括三安光電、兆馳股份、乾照光電、聚燦光電、德豪潤達、士蘭明芯等。

清洗設備:2016年全球清洗設備市場規模達40億美元,其中單片清洗設備銷售額約為18億美元,日本網盤佔據50%以上份額。

為保證芯片製備過程中不受雜誌干擾,每個環節完成後均需要進行清洗才可進行下一步,估算清洗工藝佔芯片製造步驟的三分之一,且隨著製程不斷縮小,清洗的重要性愈發重要,國產清洗設備龍頭北方華創、至純科技。

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檢測設備:2017年半導體檢測設備市場規模達44億美元,其中KLA市佔率達55%,全球市場空間2022年有望達到80億美元,年均複合增長率為12%。

國產化方面,長川科技測試機已獲長電、華天、日月光在內的多家龍頭企業使用和認可;精測電子由平板顯示檢測龍頭換擋半導體打開新市場空間。

國家戰略聚焦、巨大市場縱深、產業資本支持,中國半導體產業黃金十年到來。未來四年,全球62座新建晶圓廠中將有26座落戶中國大陸。

資金支持方面,國家集成電路產業基金第一期1400億初顯成效,帶動各級產業資金總計約近5000億,第二期2000億有望推出,將引領社會投資上萬億。

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。

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