日本NTT集團設備技術實驗室開發了一種由磷化錮(InP)化合物半導體制成的6G超高速芯片，並在300 GHz頻段內進行了高速無線傳輸實驗。採用 16QAM 調製時可達到 6G 的峰值速率 100Gbps。來源：拓墣產業研究
由於100 Gbps的無線傳輸速率僅由一個載波實現，未來將擴展到多個載波，以及使用MIMO和OAM等空間複用技術。通過這種結合，超高速集成電路將支持400 Gpbs以上的大容量無線傳輸，是5G技術的40倍。
但快速的研發並不意味著快速應用。就在幾天前，日本政府才正式開始接受5G 專網服務頻譜牌照申請。
這項技術預計將啟動太赫茲頻段的使用，如成像和傳感，而這些波段不用於通信和非通信。NTT表示，希望利用超高速集成電路帶來新的服務和產業，並進一步推動技術發展。
高符號率和多層調製技術由於能提高無線通信系統的容量而受到業界的關注。超高速芯片是技術的推動力，特別是在高符號率和多層調製的太赫茲頻段無線通信系統中。
NTTDocomo等大型電信運營商將於明年春天開始提供5G服務，但他們的服務領域預計最初將覆蓋大城市。
通過允許地方政府和企業在農村地區建立自己的網絡，日本中央政府預計當地企業將很快開始使用5G網絡。在農村地區，主要電信運營商的基站建設可能不會那麼快。
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