新萊應材:公司在第三代半導體新材料和歌能材料領域的關係是密不可分的

同花順(300033)金融研究中心3月30日訊,有投資者向新萊應材(300260)提問, 董秘您好,請問公司的產品或技術可以運用於第三代半導體新材料和功能材料領域嗎?

公司回答表示,第3代半導體(也稱為寬能隙半導體材料)是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導體材料,例如常用的氮化鎵(GaN)的製備方法有很多種,其中主要的方法有:金屬有機物氣相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE),方法,都可以透過我司的真空系統與氣體系統的關鍵傳輸部件與控制部件來達成,由此看來我司在第三代半導體新材料和歌能材料領域的關係是密不可分的。感謝您對公司的關注,謝謝。


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