3月24日消息，近日中芯國際第一次對外公開了N+1和N+2代工藝的情況，CEO梁孟松表示N+1代工藝與14nm製程工藝相比在性能上提高了20％，功耗降低了57％，芯片面積減少了55％，而N+2代工藝在性能和成本上則更高。
據悉，中芯國際N+1代工藝和臺積電第一代7nm工藝相近，N+2代工藝則與臺積電的7nm+相近。中芯國際表示，N+1僅是公司內部的代號，和7nm工藝不能劃上等號，在2019年第四季度就已經完成了流片，現在正在進行客戶產品的驗證階段，將於今年第四季度正式開始量產。
據瞭解，中芯國際N+1代工藝在功耗、穩定性等方面與市場上成熟的7nm相當，但是在性能上還有較大的差距，其實更接近三星或臺積電的10nm工藝，而N+2代工藝與7nm更接近，但是性能仍達不到7nm的要求。
梁孟松表示，目前中芯國際無需EUV光刻機也能實現7nm工藝的生產，臺積電第一代7nm工藝也是沒有使用EUV，但是之後的5nm、3nm則必須具備EUV。對於我國即將在今年第四季度迎來7nm量產你怎麼看？歡迎留言評論。
分享到:
閱讀更多 泡泡網 的文章
