去年，中芯國際表示將在四季度開啟基於 14nm FinFET 製程的量產芯片。同時，該公司也在努力開發下一代主要節點（N+1），宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。 與中芯國際自家的 14nm 製程相比，N+1 可在性能提升 20% 的同時降低 57% 的功耗、並將邏輯面積減少了 63% 。
資料圖（來自：SMIC）
但實際上，中芯國際表示 N+1 並不等同於 7nm 技術。儘管新工藝可讓 SoC 變得更小、更節能，但 N+1 帶來的性能提升，仍無法與 7nm 競品做到旗鼓相當。
有鑑於此，中芯國際將 N+1 定位於更具成本吸引力的芯片製造技術。該公司發言人稱：“N+1 的目標是低成本應用，與 7nm 相比，其優勢在 10% 左右”。
此外，中芯國際的 N+1 工藝並未使用極紫外光刻（EUVL），因此該晶圓廠無需從 ASML 購買其它昂貴的設備。
這並不說明該公司沒有考慮過 EUV，其確有獲得 EUV 步進掃描系統，但有報道稱因美方施壓而尚未安裝，導致中芯國際只得等到 N+2 工藝時採用上 EUV 。
如果一切順利，中芯國際有望在 2020 年 4 季度開始 N+1 製程的風險試產，並於 2021 或 2022 年轉入大批量生產。
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