日前中芯國際聯席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國際N+1、N+2代工藝的情況，透露N+1工藝相比於14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，之後的N+2工藝性能和成本都更高一些。
業界普遍認為，中芯國際N+1工藝相當於臺積電第一代7nm工藝，N+2則相當於臺積電7nm+，重點在提升性能，年底即可量產。
今天，中芯國際相關人士詳細解釋了N+1工藝，也澄清了一些誤會。
首先需要強調的是，N+1是中芯國際的內部代號，並不等於7nm。
據介紹，中芯國際N+1工藝在去年第四季度完成流片，目前正處於客戶產品驗證階段，預計第四季度有限量產。
與市場上的7nm相比，中芯國際N+1在功耗、穩定性方面非常相似，唯一的區別就是性能，N+1的性能比14nm提高了約20%，但市場基準提升幅度是35%，所以有差距，但這也是唯一的差距。
如果是從功耗、穩定性方面而言，可以將中芯國際N+1稱為7nm，而在性能方面確實要比7nm差。
中芯國際對N+1的目標是低成本應用，可以將成本相對市場上的7nm減少大約10%，因此是一個非常特殊的工藝節點。
從中芯國際的表態看，N+1更類似於臺積電、三星的10nm，或者有點像三星的8nm，因為20%的性能提升幅度遠低於臺積電預計的30%、實際的35%。
至於N+2工藝，與市場7nm更為接近，尤其是穩定性，但是性能仍然略遜一籌。
另外隨著臺積電、三星陸續導入EUV極紫外光刻，中芯國際也在加速推進，但是梁孟松曾明確表示，
中芯國際無需EUV就能達成7nm，當然後續的5nm、3nm是必須要有EUV的。
其實，臺積電第一代7nm也沒有用EUV而是繼續傳統DUV，7nm+才有限導入EUV，幾十層光罩中只有幾層使用。
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