第三代半导体公司，只有两家值得关注
根据材料的不同，现代半导体已经发展到第三代。
第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体。它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)，以及三元化合物半导体材料，还有一些固溶体半导体材料、玻璃半导体(又称非晶态半导体)材料、有机半导体材料等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度Eg>2.3eV)的半导体材料。
目前高端的深紫外LED仍以日本、韩国厂商为主，不过越来越多的国内半导体公司开始关注深紫外行业，进行深度布局。如布局深紫外芯片-封装-模组产业链的青岛杰生(圆融光电)，深紫外LED芯片的三安光电(600703)、湖北深紫、中科潞安、华灿光电(300323)、鸿利秉一，以及高性能紫外传感芯片的镓敏光电。
目前，镓敏光电是国内唯一拥有紫外传感芯片技术的公司，其所开发的高端氮化镓和碳化硅紫外传感芯片已投入大批量生产，在饮用水、空气、食品、衣物和医疗器械等紫外净化领域得到了规模应用。
国内公司
GaN全球重要企业及产业链包括：CREE(全球最大的SiC和GaN器件制造商)、Infineon(世界领先的半导体与系统解决方案提供商)、住友电工(全球 GaN射频器件第一大供应商)、Navitas(世界领先的 GaN 功率IC ——GaNFast技术的创造者)。
国内公司：
三安光电(600703)全面布局 GaN 射频、功率器件、光电的国产龙头
公司是传统照明LED芯片巨头，于2019年实现了深紫外LED芯片量产，处于整个行业产品链的上游。作为国内领先的深紫外LED芯片供应商，公司深紫外 UVC LED 芯片广泛应用于对空气、水和物体表面消毒等终端消杀产品和应用场景。
光功率方面，三安光电 UVC 性能已经是国际同等水平，可以达到2-4%光效。自今年疫情以来，三安光电已接收到多家客户和政府的急增需求，公司UVC芯片已处满产状态，260~280nm外波段的深紫外UVC产品已累计客户百余家。
三安光电目前正在中部地区建设一个 Mini/Micro LED 研发基地，投资额为120亿元人民币(17亿美元)。三安将在该研发基地展开 GaN 和 GaAs Mini/Micro LED 芯片以及 4K 显示器的研发。与此同时，三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED 芯片、750,000 个 GaAs Mini/Micro LED 芯片以及 84,000 个4K显示器的年生产能力。
GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光 Micro LED芯片、720,000个绿光 Mini LED芯片和 80,000个绿光 Micro LED芯片，而 GaAs 业务部分年产能将包括 660,000个红光 Mini LED 芯片和 90,000 个红光 Micro LED 芯片。此外，三安光电已经正式与三星电子开展合作，共同开发 Mini/Micro LED 技术。
三安集成，成立于2014年，是三安光电(600703)下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281亩，总投资额30亿元，规划产能为 30万片/年GaAs 高速半导体外延片、30万片/年GaAs 高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的 4 英寸、6 英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的 SiC 功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
海威华芯：中国纯晶圆代工厂商的新生力量
海威华芯是民营航空装备与技术公司海特高新(002023)下属子公司，提供晶圆代工、设计、测试服务。公司积极拓展化合物半导体业务，已建成6寸化合物半导体商用生产线，并完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅及磷化铟在内的 6 项工艺产品的开发，可支持制造功率放大器、混频器、低噪音放大器、开关、光电探测器、激光器、电力电子等产品，业务涵盖航空、航天、卫星、消费电子等领域，产品广泛应用于 5G 移动通信、电力电子、光纤通讯、3D 感知等领域。
2018年报显示，海特高新为100家客户提供产品和技术服务，其中砷化镓已经实现订单37项，氮化镓已经引入6家客户。其中部分产品实现批量出货和代工实现量产；5G 基站产品通过性能验证，目前处于可靠性验证阶段；氮化镓功率元器件已经小规模量产，随着 5G 商用部署进程的不断推进，在 5G 射频方面将催生大量的氮化镓元器件需求，具有广阔的市场前景。
