MOS管和三极管不同，是可以反向导通的
MOS管有三个脚，栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。其中栅极(G)为导通的控制引脚。MOS分为N沟道和P沟道两种。MOS管导通时，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，电流也可以从源极(S)流向漏极(D)。
MOS管
MOS管导通分析
在增强型MOS中，漏极(D)和源极(S)之间会有一个背靠着的PN结，栅极(G)没有施加电压时，总会有一个PN结反偏，导通不了。当在栅极(G)施加电压后，栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容，门极电压等于对电容充电，受电压吸引，电容另一边聚集大量电子，形成导电沟道，MOS管开始导通，电流可以从漏极(D)流向源极(S)，也可以从源极(S)流向漏极(D)。
MOS管结构
MOS管正、反向导通应用
充电宝大家都用过了吧？有一种充电宝只有一个接口，充电和放电共用这个接口，它会自识别插入的是充电器还是手机，接上充电器时，自动对充电宝进行充电；接上手机时，自动切换为放电，对手机进行充电。这种设计就需要用到MOS的双向导通特性了，充电时，电流从MOS的源极(S)流向漏极(D)，放电时，电流从漏极(D)流向源极(S)。
MOS管正反向导通
MOS管驱动电路
MOS是电压驱动型器件，驱动电压满足它的门极开启电压（Vgs）就可以让它导通。
N沟道MOS管：DR为高电平时导通
P沟道MOS管：DR为低电平时导通
MOS驱动电路
在设计MOS驱动电路时，一定要注意它的门极开启电压（Vgs)。如果门极驱动电压不足，会导致MOS导通不完全，内阻增大，发热量增加。
如果单片机的GPIO驱动电压不够，可以加入三极管驱动，用三极管的集电极电压驱动MOS管导通。
MOS管驱动电路
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