05.24 三星霸气宣布,三年后芯片要进入3纳米时代,正式站上世界之巅!

三星霸气宣布,三年后芯片要进入3纳米时代,正式站上世界之巅!

作为芯片制造的一大头,三星此前也已经宣布了其7nm LPP工艺将会在2018年下半年投入生产,此外,在Samsung Foundry Forum论坛上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工艺技术。三星还声称自家的 7 纳米工艺全球首次使用了先进的 EUV 光刻解决方案。

经过多年的积淀,三星终于要站上世界之巅。在目前国家大力补“芯”的背景下,三星的发展历程可以说给我们提供了很好的借鉴,而其成功也证明了芯片并非只有欧美才能成为世界顶尖水平。

三星霸气宣布,三年后芯片要进入3纳米时代,正式站上世界之巅!

据了解,韩国在产业化的过程中,推进“政府+大财团”的经济发展模式,并推动“资金+技术+人才”的高效融合。1983年,历经多年努力,三星的首个芯片工厂在京畿道器兴地区落成,并在投产后很快便开始量产64位芯片。

这之后,三星的芯片事业进入了快车道,不久三星就开发了256位芯片、486位芯片,并正式进入全球芯片市场的竞争中;仅时隔10年,三星的量产芯片市场份额直逼日本。之后,更是一骑绝尘,在芯片舞台越走越宽。

三星霸气宣布,三年后芯片要进入3纳米时代,正式站上世界之巅!

自1992年以来,英特尔一直是按销售额计算的芯片市场领头羊,不够随着智能手机的普及,PC市场的下降,这让三星芯片业务受益。此前三星还宣布,将投资180亿美元扩建韩国半导体制造设施。

目前三星在NADA闪存和DRAM内存芯片领域占据优势,这也是三星营收主要贡献力量。对于其他戏弄厂商而言,三星的芯片良品率更高,主要还是过去三星在这方面的持续投入。

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如果三星的线路图不变的话,三星会在 2019 年生产 5 纳米芯片,2020 年生产 4 纳米芯片,2021 年生产 3 纳米芯片。这意味着,未来三星将毒霸芯片世界!

目前,英特尔和台积电都没有着手开发商用3纳米技术,3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。


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