本土半導體的7nm、5nm研發是這些

本土半導體的7nm、5nm研發是這些

光刻機還有很大距離

光刻機是集成電路製造業最核心、技術門檻最高的設備,光刻環節是芯片生產流程中的最關鍵步驟,直接決定芯片的製程水平和性能水平,芯片在生產過程中需要進行20-30次的光刻,耗時佔到製造環節的50%左右,佔芯片生產成本的1/3。

ASML在全球晶圓廠光刻機設備的市場份額高達8成,ASML在EUV光刻機上一家獨佔,193nm浸沒式光刻機佔比達到90%以上,DUV光刻機佔比超50%,僅I-line由ASML、尼康、佳能均分。

國內研發光刻機相關的企業有上海微電子裝備有限公司、中國電子科技集團公司第四十五研究所、合肥芯碩半導體有限公司、先騰光電科技有限公司、無錫影速半導體科技有限公司。

上海微裝發展最為領先,是中國唯一一家生產高端前道光刻機整機的公司,其生產的光刻機包括晶圓製造、IC封裝、面板、LED等。

在晶圓製造光刻機方面,上海微裝目前可生產加工90nm工藝製程的光刻機,但並未經過晶圓廠產線驗證。

另外,長春光機所成功研製了波像差優於0.75 nm RMS的兩鏡EUV光刻物鏡系統,構建了EUV光刻曝光裝置,國內首次獲得EUV投影光刻32 nm線寬的光刻膠曝光圖形,但僅在2017年6月21日通過內部項目驗收。

開展5納米,7納米高端IC設備研發

半導體一線君關注到,北方華創年初公告稱擬向大基金等增發21億,進行高端IC設備與高精密電子元器件的研發與產業化。

主要為28納米以下IC裝備搭建產業化工藝驗證環境和實現產業化,建造IC設備創新中心樓及購置5納米,7納米關鍵測試設備和搭建測試驗證平臺,開展5納米,7納米關鍵IC裝備的研發並實現產業化應用。

項目產能:年產刻蝕裝備30臺、PVD裝備30臺、單片退火裝備15臺、ALD裝備30臺、立式爐裝備30臺、清洗裝備30臺。

北方華創以生產銷售高端集成電路裝備為主業,重點發展刻蝕設備(Etch)、物理氣相沉積設備(PVD)和化學氣相沉積設備(CVD)三大類設備,廣泛應用於集成電路製造、先進封裝、半導體照明(LED)、微機電系統(MEMS)等領域。

另一家半導體設備企業中微半導體,其自主研發的5nm等離子體刻蝕機經臺積電驗證,性能優良,將用於全球首條5nm製程生產線。中微半導體也是唯一進入臺積電7nm製程蝕刻設備的大陸本土設備商。其他四家為泛林、應用材料和東京電子、日立。

晶圓代工工藝開發:14 nm-12nm-7nm-5nm

晶圓代工領域,國內僅中芯國際向ASML訂購了一臺EUV極紫外光刻機,單價1.2億美元,將在今年初交付,計劃進行7nm研發。

目前中芯國際14nm工藝量產在即,第一代FinFET14nm技術進入客戶驗證階段,產品可靠度與良率已進一步提升,中芯國際14nm工藝的良品率已經高達95%,同時,12nm的工藝開發也取得突破。

梁孟松也在最近表示,中芯國際正致力於更先進工藝的研發,接下來全力攻關10nm、7nm工藝。

IC設計:7nm芯片較少

IC設計端,推出7nm芯片的包括華為海思、寒武紀、比特大陸、嘉楠耘智等。其中華為麒麟980為手機處理器,後三者發佈的為ASIC芯片。

這也反映出IC設計的先進工藝代工往往不在本土,本土晶圓代工從設備到工藝等都還不能匹配的現狀。


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