IR2110是IR公司生產的大功率MOSFET和IGBT專用驅動集成電路，可以實現對MOSFET和IGBT的最優驅動，同時還具有快速完整的保護功能，因而它可以提高控制系統的可靠性，減少電路的複雜程度。
IR2110的內部結構和工作原理框圖如上圖所示。圖中HIN和LIN為逆變橋中同一橋臂上下兩個功率MOS的驅動脈衝信號輸入端。
SD為保護信號輸入端，當該腳接高電平時，IR2110的輸出信號全被封鎖，其對應的輸出端恆為低電平；而當該腳接低電平時，IR2110的輸出信號跟隨HIN和LIN而變化，在實際電路里，該端接用戶的保護電路的輸出。HO和LO是兩路驅動信號輸出端，驅動同一橋臂的MOSFET。
IR2110的自舉電容選擇不好，容易造成芯片損壞或不能正常工作。VB和VS之間的電容為自舉電容。自舉電容電壓達到8.3V以上，才能夠正常工作，要麼採用小容量電容，以提高充電電壓，要麼直接在VB和VS之間提供10～20V的隔離電源，本電路採用了1µF的自舉電容。
為了減少輸出諧波，逆變器DC/AC部分一般都採用雙極性調製，即逆變橋的對管是高頻互補通和關斷的。
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