鍺貴，發熱大漏電大都是原因，但是這些還不是最根本的。
關鍵是硅的工藝太方便了。
硅做提純，HF輕鬆一步搞到99.9以上。
硅做晶圓，單晶柱隨便拉。
硅做絕緣層，有“上帝創造的”完美的硅/氧化硅界面。（這個是最重要的，所以換hkmg之後各種替代硅的材料才開始興起）
硅做摻雜，金剛石結構退火一下晶格損傷自己修復。
硅做氧化，溼氧幹氧cvd各種工藝任你挑選。
硅做刻蝕，有氧化硅掩膜，不行還有氮化硅，溼法幹法都有變態的選擇比。
硅做微結構，還有各向異性刻蝕這種大殺器。
硅的工藝選擇實在是太方便太豐富太便宜了，所以縱使硅的性能在深亞微米已經開始力不從心，工藝界還是捨不得拋棄硅，而是繼續折騰各種新技術給硅續命...
另外閾值電壓低不代表運行電壓低。
因為電路依然是要電流驅動負載（一般是寄生電容）的。如果電源電壓太低會使驅動電流太小，負載充放電速度會很慢，頻率就上不去。
基礎的數字電路動態功耗是cfv^2，只取決於電源電壓、頻率和負載電容。閾值影響的是v和f之間的限制關係，但這最終依然是一個頻率和功耗的trade off，所以降低閾值並不一定能顯著降低動態功耗。但是閾值太低一定會導致關斷漏電高，顯著增加靜態功耗。
現在用鍺的一般是看中鍺的高遷移率來提高頻率，或是用鍺硅製備異質節，而不是因為閾值電壓。
要說閾值電壓的話。硅器件還有負閾值的耗盡型CMOS呢。調閾值不就一個摻雜的事情嘛。
1947年，貝爾實驗室研製出了世界上第一隻點接觸三極管，採用就是Ge材料，這奠定了微電子工業的基礎。直到 20 世紀 50 年代末、 60 年代初以前的十幾年間，鍺都是雙極型晶體管的主要支 撐材料。但是Ge材料存在以下幾個問題：
1.鍺的地殼含量很少，據估計地殼中鍺的含量是 1.8 ppm（百萬分之一），而硅的含量是 277100 ppm，這導致了過高的製造成本；
2.硅工藝中的SiO2/Si體系非常穩定並且界面態密度低、缺陷和陷阱少。而Ge的氧化物非常不穩定，在400度以上還容易發生解析反應，所以器件製作難度大、器件穩定性差和大的柵漏電 流，所以單一的GeOx/Ge結構難成為鍺基 MOSFET 器件的理想柵介質和隔離層；
3.Ge的禁帶寬度只有0.66eV，相比於Si的1.12eV,這就導致Ge器件比較容易被擊穿，靜態功耗就大了；
4.現有水平製備出的Ge襯底，達不到Si的純度和低界面態密度。
由於存在以上問題，60年代之後Si逐漸取代了Ge。當然，隨著工藝尺寸的不斷縮小，Si材料將達到其物理極限(電子和空穴遷移率過低是硬傷)，Ge或者Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體或許是作為溝道材料的一個很好選擇。
現階段U-Tokyo,Stanford,Purdue,MIT基本上代表了Ge或者Ⅲ-ⅤMOS器件研究領域最高水平，主要研究方向是降低界面態密度情況下減小EOT(等效氧化物厚度)，新的高k介質還有與Si基集成等。國內也有一些高校在做，比如THU、PKU、FUDAN、NJU等。
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