我國國產存儲技術迎來重大突破。在三星電子、SK海力士、美光科技等國際巨頭的壟斷下，國產存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產品規格為8Gb LPDDR4，這是國產DRAM產業的一個里程碑。雖然量產或對市場競爭短期無重大影響，但對於中國DRAM產業來說還是跨出了第一步，仍具有指標性的意義。
國際巨頭壟斷DRAM市場
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態隨機存儲器"。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔一段時間刷新（refresh）一次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。DRAM用於通常的數據存取。我們常說內存有多大，主要是指DRAM的容量。
DRAM因為其應用的廣泛性和重要性，是電子產品必不可少的一種重要半導體元件。也是原器件領域的一個重要組成部分。根據IHS Markit的數據，去年(2017)全球動態隨機存取存儲器(DRAM)的市場規模為722億美元，較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點的是，從2016年開始，DRAM的價格多次提高，2017年的價格漲幅更是高達40%。讓一些終端廠商，尤其是國內的廠商叫苦不堪。這一方面是因為國內在這方面的缺失。
過往的經驗表明，無論是面板、指紋識別芯片，還是CIS，只要有國產參與其中，他們不但能把產品的價格拉的比較低，還能倒逼國外的供應商降低價格，利好於終端廠商。但在DRAM這個領域，國內幾近一片空白。
IHS Markit的數據顯示，2017年DRAM市場份額的前三名中，三星電子佔據44.5%，SK海力士佔據27.9%，美光科技佔據22.9%，三家企業一共覆蓋了全球市場的95.3%，形成近乎壟斷的格局。
2017年中國進口了896億美元的存儲芯片，幾乎100%依賴進口。依賴別人，就容易受制別人。作為DRAM龍頭的三星，就在價格上耍起了手段。因為漲價的影響，包括DRAM和NAND Flash在內的存儲產品在2017年較之2016年的800億美元暴漲了65%。但進入今年NAND Flash開始走弱，但是DRAM還價格還在持續上揚，據透露，三星的蓄意減產是造成這個結局的一個重要原因。
在之前，市場還傳出了三星18nm工藝的內存芯片遭遇良率問題，需要兩三個月時間才能解決，這或將導致高端市場內存缺貨，但這是在三星18nm產品亮相兩年後出現的傳聞，這就讓人對三星的操作有所懷疑。瑞銀分析師Timothy Arcuri更是表示，三星18nm芯片良率導致減產問題，可能只是暫停生產以控制產品供應量。他指出三星在內存價格下跌之前就延遲增產，這個舉動不尋常，他認為三星此舉是貫徹了過去幾年中該公司“利潤第一”的管理方式。
況且，數據顯示，DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內作為主要的製造大國，對其需求有增無減。多方面的因素綜合，迫使中國去打造自主可控的DRAM企業。
國產DRAM突破
近期，合肥長鑫存儲的DRAM正式首次投片，產品規格為8GBLPDDR4。這是第一個蓋有“Made In China”印記的存儲器，是DRAM產業“自主研發道路”上的里程碑。
集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)研究副總經理郭祚榮表示，目前8GB LPDDR4是移動內存的主流規格，意指合肥長鑫希望在最短時間內可以與世界先進企業、競爭對手齊頭並進。合肥長鑫開始投片，代表在芯片設計上已達到一定水平，且產品上市指日可待，但日後產品生產良率和穩定度仍有待觀察。
據悉，合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元（495億人民幣），項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成後月產能為12.5萬片晶圓，安徽商報表示這個產能將佔到全球DRAM內存產能的8%。
此外，合肥兆鑫CEO王寧國今年四月在出席合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”上表示，合肥長鑫的一廠廠房已經於2018年1月建設完成，設備也開始安裝。
根據計劃，長鑫將於2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規劃二廠，2021年則完成17nn的研發。
從這次投產的時間來看，兆易創新/合肥長鑫的內存研發、生產正在按部就班進行，推出8Gb LPDDR4只是計劃中的進度而已，不過從技術突破來看這應該是國內公司首次投產LPDDR4內存，此前紫光國芯計劃提供的也只是DDR4顆粒。
不過話說回來，不論是DDR4還是LPDDR 4顆粒，國內公司投片生產雖然可喜可賀，但是從試產到大規模上市再到形成競爭力依然有很長的路要走，明年底的產能也不過2萬片晶圓/月，即便不考慮明年國際主流是LPDDR4的技術差距問題，2萬片晶圓/月的產能對全球每月上百萬片晶圓的產能來說依然不會有什麼重大影響。
最近，隨著中國正式啟動對三星、美光、SK海力士等內存三巨頭的反壟斷調查，國產內存也再次成為了受關注的焦點。目前國內DRAM的研發製造方面共分為三大陣營，無論是合肥長鑫、長江存儲還是福建晉華，都基本將量產時間定於2019年上半年。其中DDR4的進度普遍較快，但在應用前景和專利風險都相當可觀的LPDDR4領域，只有合肥長鑫進度最快。
不過，近日三星宣佈了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。內存三巨頭在DDR5、GDDR6的技術積累已經基本完成，產業佈局也更為成熟。在可以預期的2-3年內，國產內存極有可能會面臨著出生即落後的境遇。而由於製程與產能的雙重落後，國產內存在短期內很難對國際DRAM市場格局造成影響。但從長期來說，國產存儲芯片的大規模投產一定會對市場格局造成衝擊。
新CEO上任望加速前行
值得注意的是，就在合肥長鑫宣佈DRAM投片後，合肥長鑫合作方兆易創新16日發佈公告，董事長朱一明辭去總經理職務，但仍將擔任董事長一職。
據悉，朱一明將接任合肥長鑫存儲及睿力CEO，擔任合肥長鑫存儲及睿力CEO經過合肥有關單位、大基金批准，未來將會全職投入職位，持續研發、持續投入，並“在項目盈利之前，不領取一分錢薪酬和獎金。”
根據兆易創新公開的信息，1972年出生的朱一明先後在清華大學、紐約州立大學石溪分校獲得物理學碩士學位和電子工程系碩士學位。2000年6月-2001年5月，朱一明在iPolicy Networks Inc.任資深工程師；2001年6月-2004年11月，任Monolithic System Technologies Inc.項目主管。
在硅谷實戰多年後，2015年4月，朱一明帶著在芯片設計領域積累的豐富經驗和技術實力，回國創建北京芯技佳易微電子科技有限公司，後更名為兆易創新。
2010年，朱一明入選北京“海聚工程”和中央“千人計劃”，並被授予國家級“特聘專家”。
據資料顯示，合肥長鑫集成電路有限責任公司是由合肥市產業投資控股（集團）有限公司和合肥產投新興戰略產業發展合夥企業（有限合夥）投資建立的。公司成立於2016年，由中芯國際前CEO王寧國主導。
2017年，兆易創新大動作宣佈與合肥產投(合肥產業投資控股(集團)有限公司)簽署為期五年協定，雙方將在合肥經濟技術開發區合作開展19nm製程存儲器，專案預算共計人民幣180億元。
兆易創新和合肥產投的合作，將會給兆易創新的“DRAM夢”提供一個新的機遇，這個機遇首先包括：將為合肥經濟技術開發區空港經濟示範區內開展19nm製程的12吋晶圓存儲器(含DRAM等)研發，目標是在2018年12月31日前研發成功，並實現產品良率不低於10%。
從目前的發展上看，兆易創新和合肥長鑫的這次合作非常順利。合肥長鑫在短短的兩年內，在元件、設計、光罩、製造和測試領域都做了不少的積累。截至2017年底，已申請專利354件，2018年計劃申請專利1155件：其中計劃申請元件專利126件、設計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底，申請專利數量總計達到1509件。
雖然合肥長鑫已經邁出了重要一步，但在強敵環伺下，他們未來還有很長的一段路要走。
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