5月10日，据台湾媒体报道，在中芯国际担任联席CEO的梁孟松在最新的法说会上称，后面中芯将加快技术研发的进度，计划明年上半年开始风险试产14nm FinFET工艺，并还将跨入到人工智能领域。
梁孟松在会上表示，继中芯在去年下半年量产28nm HKC工艺之后，今年下半年将如期地量产28nm HKC+工艺；再则，对中芯来说，28nm工艺其实是一个重要的节点。中芯该如何在28nm工艺节点上吸取经验和教训，以便顺利地推进14nm FinFET工艺及时地进入市场亦是相当关键的一课。中芯预计，今年第2季度，中芯的28nm工艺应该会以高个位数的方式增长；接着到第3季度，28nm HKC工艺量产的水平将接近28nm Poly-SiON工艺；而全年下来，28nm工艺会在中芯的出货中占据高个位数的比率。
梁孟松在法说会上特别地提到了电源管理芯片工艺平台提升效能与BCD高压工艺转向12英寸晶圆工厂。中芯透露，当前所有的8英寸晶圆工厂都受到电源管理芯片供不应求的影响，以致市场上产能吃紧，尤其IGBT元器件的需求强劲，中芯会在上海之外的JV基地建置好产能以满足客户的需求。业界人士则预料，除了中芯旗下深圳、天津8英寸晶圆厂的产能外，中芯在宁波新设的工厂也将负担起电源管理芯片与高压模拟等代工产能。
梁孟松在法说会上强调，中芯会致力于搭建业务平台，完整地对接客户，把握好行业中的机遇，加速技术开发的进度，最终目标是要建立起完整的工艺平台，整合技术、IP以及完备的设计服务，不断地强化自身的竞争力，以满足客户的需求；这包括中芯跨入人工智能领域，并准备完整的ASIC IP建置，以为客户提供完整的设计代工方案，预计明年上半年开始投入。
中芯另一位联席CEO赵海军在法说会上讲到，目前，中芯仍然处在过渡的时期，且面对诸多的挑战；但是，从整体上看，中芯的运营状况优于先前的预期：客户与产业的需求正在回升，中芯的产能利用率在持续地改善，工艺研发及新业务平台进展得皆可谓一路顺利。会上，赵海军还提到，中国有着巨大的本土市场，于中芯则有着很好的机遇，尤其消费电子与物联网的普及和应用；中芯占有良好的区位优势。中芯在为客户代工生产电源管理芯片与影像传感器件等方面，已经引领业内。而且，今年中芯的Nor Flash、Nand Flash产品线更将大增30%。
由于中芯今年第1季里在深圳的8英寸晶圆工厂扩充了产能，中芯的产能从去年第4季的44.275万片8英寸等值晶圆，增长至今年第1季度的44.775万片8英寸等值晶圆，即中芯的产能利用率由此提升至88.3%。
今年第1季度，中芯的研发支出达1.23亿美元，环比增加了2170万美元。同期，中芯的资本开支为 3.222亿美元，相比于去年第4季度的资本开支为 4.987亿美元。其中，今年中芯计划用于晶圆厂运作的资本支出由去年第4季度的19亿元增加到了23亿元左右，新增的4亿元主要是被中芯用于研发生产设备，以及在天津、深圳的8英寸晶圆厂进一步扩充产能。
閱讀更多 我為科技狂 的文章
