极紫外光刻机EUV

近日,全球半导体装备行业巨头之一美国泛林公司与EUV光刻机垄断者ASML阿斯麦、世界领先电子技术研发中心IMEC比利时微电子中心合作研发出新的EUV光刻技术,不仅提高了EUV光刻的良率、分辨率及产能,还大大减少光刻胶用量,大幅降低生产成本。光刻胶作为光刻过程中最重要的耗材,其质量将对光刻工艺有重要影响。随着EUV光刻技术的进步,光刻领域迎来新的突围机会,光刻胶也将面临新的发展窗口期。

由于各种原因,ASML先进的EUV光刻机迟迟不能交付中芯国际,导致其7nm工艺量产一度受阻,然而经过不懈努力,中芯国际已突破不依赖EUV光刻技术的7nm工艺。尽管如此,国内先进的光刻胶却仍需要严重依赖进口,进一步期待能够实现光刻胶突破!

极紫外光刻机EUV


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