近日，聯電發佈公告稱，美國北加州法院已核准聯電與美國司法部的和解協議，聯電承認竊取商業機密罪名，並將支付6000萬美元的和解金，以換取與美國政府的合作協議，同時為逃過經濟間諜罪在內更為嚴格的指控，作為交換條件，聯電承諾將協助美國調查福建晉華。
成立時已埋下隱患
持續近三年的“聯美案”起因還得從福建晉華成立說起，2016年2月，福建電子信息集團、晉江能源投資集團等公司共同出資，通過與聯電技術合作，成立了動態存取存儲器（DRAM）製造企業福建晉華集成電路有限公司，是國內三大存儲芯片公司中最先成立的。
2016年5月，聯電與福建晉華簽署合作協議，依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取存儲器（DRAM）製程，開發出的技術成果雙方共有，前期製造技術工作由聯電進行，待整體技術完成後，再轉移到福建晉華生產。
理論上來說，福建晉華出資，聯電搞研發，方案可行，畢竟聯電做存儲器出身，後來轉做了芯片代工，不過近些年受到臺積電的壓制，加之資本投入巨大，聯電已經停止先進製程的研發，遇到福建晉華願意出資一起做存儲器，自然一拍即合。
陳正坤
2017年2月，聯電資深副總陳正坤任職福建晉華總經理，協助晉華建廠，陳正坤在加入聯電前曾就職於美國存儲芯片巨頭美光科技，被稱為DRAM業界的一員老將，陳的加入給福建晉華存儲器項目增加了更多可能性，同時也吸引了美光的注意。
美國官司接踵而至
好景不長，2017年9月，美光在臺控告聯電，指控從美光跳槽到聯電的員工竊取了美光的DRAM商業秘密，涉嫌將美光的DRAM技術洩露給聯電，同年12月，美光在美國加州聯邦法院起訴福建晉華與聯電，稱聯電通過美光前員工，竊取其知識產權，包括存儲芯片關鍵技術，並交付福建晉華。
這場官司前後持續了三年，今年6月，臺中地院宣判，聯電被罰1億新臺幣，何建廷、王永銘、聯電助理戎樂天三人獲4-6年不等有期徒刑，陳正坤另案調查；6月24日，美國舊金山法院發出逮捕令，將陳正坤、王永銘、何建廷三人納入通緝名單中（三人都曾就職美光科技）。
到如今，聯電在美認罪，交6000萬美元與美光達成和解，“聯美案”告一段落，但當初資助聯電技術研發的福建晉華卻身陷困境。
福建晉華前途未卜
2018年10月29日，美國商務部以國家安全為由，將福建晉華列入出口管制“實體清單”，歐美設備商撤離後，項目就已經停擺，進場的上百臺設備成了擺設，與聯電的合作也被迫中止。
據公開資料顯示，晉華提供了3億美元的資金用於採購研發設備，並依進度陸續支付聯電4億美元，此外廠房建設到底花了多少，無從知曉，按照規劃，福建晉華項目一期，總計投入53億美元。
2019年1月，福建晉華曾發佈官方聲明，已向美國商務部最終用戶審查委員會提交信函，聲明公司準備遞交正式申訴，要求移出美國商務部實體清單。
如今，“聯美案”告一段落，聯電已經認罪，承認竊取美光DRAM技術，相關責任人被判罰已成既定事實，作為聯電的合作方，福建晉華想要“解禁”幾乎沒有可能，沒有設備和技術，存儲芯片項目還將繼續停擺。
根本原因
這樣的結局或是速成心態在作祟，竊取美光技術，福建晉華與聯電不可能不知情，就算不知情，在事實面前也百口莫辯，聯電撤走人員，交了罰款了事，福建晉華呢？數十億投入石沉大海，換得莫大教訓。
技術合作沒有錯，也很有必要，但問題出在了專利網的限制，存儲芯片是半導體行業最大的分支，佔比超過處理器芯片，而行業高度壟斷，存儲芯片中最大的兩個分支，NAND Flash（閃存）和DRAM（動態隨機存儲），前者三星、鎧俠、西部數據和SK海力士合計市場份額超過80%，後者三星、SK海力士、美光合計市場份額超過90%。
支撐這些巨頭壟斷市場的是專利的壟斷，用在專利上的絕對優勢，對新入者形成技術封鎖，大家可以看下面這張圖，會更直觀；
根據最新的美國商業專利數據庫的報告，三星電子的專利數量是7.66萬件（包括代工、面板、存儲、手機等），SK海力士是7934件，美光是7488件，反觀國內，以存儲芯片龍頭兆易創新為例，截至2019年，累積獲得1195項國內外有效的專利申請，獲得581項國內專利，23項美國專利，3項歐洲專利，即全球範圍內有效的專利僅26項。
而存儲芯片的底層物理技術基本一致，想繞開專利封鎖幾乎無路可走，在這座又高又厚的專利牆面前，聯電、福建晉華要想逾越，太難了，這是遭到侵權起訴的根本原因。
“拿來主義”不可恥
“拿來主義”並不可恥，但要防止扣上“偷來”的帽子。90年代日本半導體產業後來者居上，如日中天，但最初很多技術卻來自美國，2000年前後，為了防止未來的EUV光刻技術被尼康帶回國，EUV光刻機的研發硬是將彼時的光刻機巨頭尼康排除在外；
三星成立之初，技術跟日本差老遠，三星創始人李秉喆很重視人才，1986年三星組織考察團去日本東芝考察，回來的時候，順便挖走了東芝存儲器技術核心人物川西剛，優厚的待遇吸引了大量日本半導體優秀人才，後來在技術上完成了對日本的追趕。
可見，日本和韓國半導體的崛起，都是在挖人，挖技術的基礎之上崛起，只不過在當時，美國因為冷戰需要扶持日本，而日本因為二戰，對韓國也是睜一隻眼閉一隻眼，都沒有互相追究。
國內存儲芯片的發展，同樣離不開自主研發+對外合作的路子，特別是專利網封鎖後來者，不得不這樣做，但也要避免福建晉華這樣的例子，全權委託別人開發技術可能行不通，過去靠代工、資源、地產等勞動密集和資本密集的賺快錢商業模式仍深入人心，扭轉企業家對知識產權的重視任重而道遠，半導體崛起之路，必須依靠人才和知識產權，同時也必須尊重。
合肥長鑫
國內另外兩大存儲基地，長江存儲和合肥長鑫，在美光起訴福建晉華之後，都曾被三星緊盯。2019年5月，合肥長鑫對外宣佈，正在研發的DRAM技術基礎是授權自德國存儲大廠奇夢達（曾經第二大廠，2009年倒閉），通過合作獲得了一千多萬份與DRAM相關的技術文件，以及16000份專利。
長江存儲在研發3D NAND技術初期，很重視專利問題，不能有任何侵權的嫌疑，但因為長江存儲的3D NAND進展太順利，據傳還是引來三星的目光，一直在找 “破綻”，但是自從 Xtacking 技術問世後，沒有人敢再懷疑長江存儲的3D NAND技術的“清白” 問題了。
有時候，關鍵技術不在於數量，有那麼一兩個就能為企業遮風擋雨，但有跟沒有那就是天和地的區別。
結語
今年以來，國內上百億的芯片項目停擺的已有好幾個，6月的南京德科碼、8月的武漢弘芯和現在的福建晉華，前者是大股東不出錢，也融不到錢，後者是隻有錢，但最終都失敗了。
對資金、技術、人才密集的半導體產業而言，資金只是前提，技術和人才最終決定能走多遠，飛多高，在專利封鎖面前，技術的獲取應該保持開放和包容，既要自主，也要合作，但有了福建晉華的前車之鑑，靠譜的技術合作更需要慧眼甄別。
