联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

近日,联电发布公告称,美国北加州法院已核准联电与美国司法部的和解协议,联电承认窃取商业机密罪名,并将支付6000万美元的和解金,以换取与美国政府的合作协议,同时为逃过经济间谍罪在内更为严格的指控,作为交换条件,联电承诺将协助美国调查福建晋华。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

成立时已埋下隐患

持续近三年的“联美案”起因还得从福建晋华成立说起,2016年2月,福建电子信息集团、晋江能源投资集团等公司共同出资,通过与联电技术合作,成立了动态存取存储器(DRAM)制造企业福建晋华集成电路有限公司,是国内三大存储芯片公司中最先成立的。

2016年5月,联电与福建晋华签署合作协议,依据该协议,联电与晋华共同开发两代动态随机存取存储器(DRAM)制程,开发出的技术成果双方共有,前期制造技术工作由联电进行,待整体技术完成后,再转移到福建晋华生产。


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理论上来说,福建晋华出资,联电搞研发,方案可行,毕竟联电做存储器出身,后来转做了芯片代工,不过近些年受到台积电的压制,加之资本投入巨大,联电已经停止先进制程的研发,遇到福建晋华愿意出资一起做存储器,自然一拍即合。


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陈正坤

2017年2月,联电资深副总陈正坤任职福建晋华总经理,协助晋华建厂,陈正坤在加入联电前曾就职于美国存储芯片巨头美光科技,被称为DRAM业界的一员老将,陈的加入给福建晋华存储器项目增加了更多可能性,同时也吸引了美光的注意。

美国官司接踵而至

好景不长,2017年9月,美光在台控告联电,指控从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM商业秘密,涉嫌将美光的DRAM技术泄露给联电,同年12月,美光在美国加州联邦法院起诉福建晋华与联电,称联电通过美光前员工,窃取其知识产权,包括存储芯片关键技术,并交付福建晋华。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

这场官司前后持续了三年,今年6月,台中地院宣判,联电被罚1亿新台币,何建廷、王永铭、联电助理戎乐天三人获4-6年不等有期徒刑,陈正坤另案调查;6月24日,美国旧金山法院发出逮捕令,将陈正坤、王永铭、何建廷三人纳入通缉名单中(三人都曾就职美光科技)。

到如今,联电在美认罪,交6000万美元与美光达成和解,“联美案”告一段落,但当初资助联电技术研发的福建晋华却身陷困境。

福建晋华前途未卜

2018年10月29日,美国商务部以国家安全为由,将福建晋华列入出口管制“实体清单”,欧美设备商撤离后,项目就已经停摆,进场的上百台设备成了摆设,与联电的合作也被迫中止。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

据公开资料显示,晋华提供了3亿美元的资金用于采购研发设备,并依进度陆续支付联电4亿美元,此外厂房建设到底花了多少,无从知晓,按照规划,福建晋华项目一期,总计投入53亿美元。

2019年1月,福建晋华曾发布官方声明,已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函,声明公司准备递交正式申诉,要求移出美国商务部实体清单。


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如今,“联美案”告一段落,联电已经认罪,承认窃取美光DRAM技术,相关责任人被判罚已成既定事实,作为联电的合作方,福建晋华想要“解禁”几乎没有可能,没有设备和技术,存储芯片项目还将继续停摆。

根本原因

这样的结局或是速成心态在作祟,窃取美光技术,福建晋华与联电不可能不知情,就算不知情,在事实面前也百口莫辩,联电撤走人员,交了罚款了事,福建晋华呢?数十亿投入石沉大海,换得莫大教训。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

技术合作没有错,也很有必要,但问题出在了专利网的限制,存储芯片是半导体行业最大的分支,占比超过处理器芯片,而行业高度垄断,存储芯片中最大的两个分支,NAND Flash(闪存)和DRAM(动态随机存储),前者三星、铠侠、西部数据和SK海力士合计市场份额超过80%,后者三星、SK海力士、美光合计市场份额超过90%。

支撑这些巨头垄断市场的是专利的垄断,用在专利上的绝对优势,对新入者形成技术封锁,大家可以看下面这张图,会更直观;


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

根据最新的美国商业专利数据库的报告,三星电子的专利数量是7.66万件(包括代工、面板、存储、手机等),SK海力士是7934件,美光是7488件,反观国内,以存储芯片龙头兆易创新为例,截至2019年,累积获得1195项国内外有效的专利申请,获得581项国内专利,23项美国专利,3项欧洲专利,即全球范围内有效的专利仅26项。

而存储芯片的底层物理技术基本一致,想绕开专利封锁几乎无路可走,在这座又高又厚的专利墙面前,联电、福建晋华要想逾越,太难了,这是遭到侵权起诉的根本原因。

“拿来主义”不可耻

“拿来主义”并不可耻,但要防止扣上“偷来”的帽子。90年代日本半导体产业后来者居上,如日中天,但最初很多技术却来自美国,2000年前后,为了防止未来的EUV光刻技术被尼康带回国,EUV光刻机的研发硬是将彼时的光刻机巨头尼康排除在外;


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

三星成立之初,技术跟日本差老远,三星创始人李秉喆很重视人才,1986年三星组织考察团去日本东芝考察,回来的时候,顺便挖走了东芝存储器技术核心人物川西刚,优厚的待遇吸引了大量日本半导体优秀人才,后来在技术上完成了对日本的追赶。

可见,日本和韩国半导体的崛起,都是在挖人,挖技术的基础之上崛起,只不过在当时,美国因为冷战需要扶持日本,而日本因为二战,对韩国也是睁一只眼闭一只眼,都没有互相追究。

国内存储芯片的发展,同样离不开自主研发+对外合作的路子,特别是专利网封锁后来者,不得不这样做,但也要避免福建晋华这样的例子,全权委托别人开发技术可能行不通,过去靠代工、资源、地产等劳动密集和资本密集的赚快钱商业模式仍深入人心,扭转企业家对知识产权的重视任重而道远,半导体崛起之路,必须依靠人才和知识产权,同时也必须尊重。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

合肥长鑫

国内另外两大存储基地,长江存储和合肥长鑫,在美光起诉福建晋华之后,都曾被三星紧盯。2019年5月,合肥长鑫对外宣布,正在研发的DRAM技术基础是授权自德国存储大厂奇梦达(曾经第二大厂,2009年倒闭),通过合作获得了一千多万份与DRAM相关的技术文件,以及16000份专利。


联电在美国认罪被罚,福建晋华停摆背后,是一堵又高又厚的专利墙

长江存储在研发3D NAND技术初期,很重视专利问题,不能有任何侵权的嫌疑,但因为长江存储的3D NAND进展太顺利,据传还是引来三星的目光,一直在找 “破绽”,但是自从 Xtacking 技术问世后,没有人敢再怀疑长江存储的3D NAND技术的“清白” 问题了。

有时候,关键技术不在于数量,有那么一两个就能为企业遮风挡雨,但有跟没有那就是天和地的区别。

结语

今年以来,国内上百亿的芯片项目停摆的已有好几个,6月的南京德科码、8月的武汉弘芯和现在的福建晋华,前者是大股东不出钱,也融不到钱,后者是只有钱,但最终都失败了。

对资金、技术、人才密集的半导体产业而言,资金只是前提,技术和人才最终决定能走多远,飞多高,在专利封锁面前,技术的获取应该保持开放和包容,既要自主,也要合作,但有了福建晋华的前车之鉴,靠谱的技术合作更需要慧眼甄别。



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