最近想對DDR瞭解多一點，看標準的時候發現有些概念還是不清楚，比如預充電Precharge是什麼？刷新Refresh，又是為什麼？要知道這些問題的答案，就需要知道DDR內部存儲單元結構，通過查閱資料，總結如下，分享給大家。
DDR SDRAM Bit Cells
DDR SDRAM是類似一個網格陣列，其中基本存儲單元稱之為cell。
每個Cell包含一個電容Cbit和一個FET管，能個存儲一個bit的數據。如下圖。Row(word)line稱為字線，也就是DDR的行地址線，它連在了FET的g極。通過控制字線電壓就可以控制FET的開啟與關閉了，也就可以對Cbit電容進行充電或者是放電了。
Cbit裡面如果存儲有電荷，即S端電壓為VCC，那麼就是存儲的1，否則就是存儲的0。
Ccol為寄生電容。
Cell是如何讀寫的呢？
以上圖Cell0為例子
讀過程
1---首先關閉所有字線，W0，W1…Wn。讓所有FET均不導通。
2---然後將位線B0通過預充電開關Precharge（圖中未畫出）拉到Vcc/2，即VB0=Vcc/2。（這個操作就是預充電Precharge）
3---再斷開預充電開關PrechargeSwitch，停止充電。
4---將W0置為高電平Vcc，此時Cell0的FET導通。
如果原來存儲的是1，Cbit電壓大於VB0，那麼Cbit會對字線B0充電，使得VB0>Vcc/2，此時VB0經過放大器SenseAMP後放大電壓到VCC電平，即讀出1。
如果原來存儲的是0，Cbit電壓小於VB0，於是字線B0會對Cbit充電，使得VB0
寫過程
寫0
1---首先將位線B0拉低
2---然後將W0拉高，打開FET，Cbit通過B0放電置GND
3---拉低W0，完成寫入0
寫1
1---首先將位線B0拉高
2---然後將W0拉高，打開FET，Cbit通過B0充電至VCC
3---拉低W0，完成寫入1
DDR為什麼要刷新
其實瞭解了Cell結構，這個答案就很清楚了，DDR的數據保存就是通過Cbit電容保存電荷，因為漏電流的存在，如果長時間不操作Cell，那麼電荷就會漏光，保存的數據就沒有了。
所以為了保存住數據，需要定期對Cell單元裡面的數據進行讀取，然後再寫入，這個過程就叫刷新。
