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中芯國際只論性能，把14納米芯片做大，性能是否達到7納米水平？越來越低nm工藝製程成為了芯片設計上的追求，也是各芯片製造商不得不緊跟設計者的需要。
為何現在芯片設計廠商要追求越來越低的工藝製程，其主要目的是為了在同一大小塊芯片上容納更多的晶體管，增強芯片的性能。同時晶體管之間的間距減少，電容降低，開關頻率提升，速度更快更加省電。理論上把14nm芯片做到7nm芯片的性能是有可能的，但是要容納與7nm相同或者更多數量的晶體管，14nm芯片面積將會變得更大，而且能耗將會很高，在產品上將變得不實用。
比如手機芯片，在巴掌大的手機上如果芯片就佔了半巴掌大，顯然是不實用的。所以各大芯片設計廠商拼命設計更多晶體管的芯片，製造廠商也拼了命的提升自己的工藝製程滿足芯片設計者需求。所以像臺積電、三星等，都在競爭生產及解決7nm、5nm，甚至3nm製程工藝，以求在未來佔據主動。而中芯國際與他們相差不小的距離，到2019年低才開始量產14nm芯片。
這源於中芯國際的設備沒有辦法達到如此高的要求，同時其生產工藝及技術沒有辦法實踐。早在兩年前就花1.3億美元的高價向荷蘭ASML訂購了一臺7nm工藝製程的光刻機，可惜的是一直遭到美國的阻攔與騷擾，ASML也不得不通過各種搪塞未能交付這一套高端光刻機的理由。
不過好在中芯國際已經能夠量產14nm芯片，並且已經和華為有了芯片製造業務，可以說國內除了極少部分需求之外，比如華為7nm手機芯片和紫光展銳6nm手機芯片，14nm工藝芯片已經能夠滿足了絕大部分需求。
目前中芯國際正在像7nm工藝製程進發，他們正在研發N+1、N+2工藝水準，將會與臺積電7nm芯片工藝水準對齊。即使沒有高端EUV光刻機設備同樣可以製造7nm芯片，只是不能製造7nm EUV工藝芯片。中芯國際的未來可期。
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