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中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平？越来越低nm工艺制程成为了芯片设计上的追求，也是各芯片制造商不得不紧跟设计者的需要。
为何现在芯片设计厂商要追求越来越低的工艺制程，其主要目的是为了在同一大小块芯片上容纳更多的晶体管，增强芯片的性能。同时晶体管之间的间距减少，电容降低，开关频率提升，速度更快更加省电。理论上把14nm芯片做到7nm芯片的性能是有可能的，但是要容纳与7nm相同或者更多数量的晶体管，14nm芯片面积将会变得更大，而且能耗将会很高，在产品上将变得不实用。
比如手机芯片，在巴掌大的手机上如果芯片就占了半巴掌大，显然是不实用的。所以各大芯片设计厂商拼命设计更多晶体管的芯片，制造厂商也拼了命的提升自己的工艺制程满足芯片设计者需求。所以像台积电、三星等，都在竞争生产及解决7nm、5nm，甚至3nm制程工艺，以求在未来占据主动。而中芯国际与他们相差不小的距离，到2019年低才开始量产14nm芯片。
这源于中芯国际的设备没有办法达到如此高的要求，同时其生产工艺及技术没有办法实践。早在两年前就花1.3亿美元的高价向荷兰ASML订购了一台7nm工艺制程的光刻机，可惜的是一直遭到美国的阻拦与骚扰，ASML也不得不通过各种搪塞未能交付这一套高端光刻机的理由。
不过好在中芯国际已经能够量产14nm芯片，并且已经和华为有了芯片制造业务，可以说国内除了极少部分需求之外，比如华为7nm手机芯片和紫光展锐6nm手机芯片，14nm工艺芯片已经能够满足了绝大部分需求。
目前中芯国际正在像7nm工艺制程进发，他们正在研发N+1、N+2工艺水准，将会与台积电7nm芯片工艺水准对齐。即使没有高端EUV光刻机设备同样可以制造7nm芯片，只是不能制造7nm EUV工艺芯片。中芯国际的未来可期。
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