12.07 關於IGBT管的功耗

IGBT管的功耗主要是以下三個：

1、通態損耗Ps。大體來講，通態損耗等於集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

Ps-通態功耗，單位W

Ic-集電極電流，單位A

Uces-IGBT飽和壓降，單位V

2、開關損耗。IGBT管每次開通和關斷都會損耗一定的功率。開通損耗Pon和關斷損耗Poff都和集電極電流和IGBT管溫度有關。一般來講，溫度越高，集電極電流越大，則開關損耗越大。如下圖：

IGBT開通損耗

IGBT關斷損耗

3、續流二極管的損耗Pd。與IGBT反並聯的續流二極管也會產生一定的損耗，其大小與通過續流二極管的平均電流Id成正比。