湖畔西子913
首先，我们先回答一个关于什么是制程的问题。
在讲这个之前，不得不说一个半导体界的黄金定律也就是摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。更直观的体现便是节点大约每隔24个月便会缩小30%。
制程一般以特征尺寸来体现，所谓的特征尺寸就是原胞中的最小尺寸，通常以栅极的长度来表征。因此，现在常说的制程是多少纳米，其实质是栅极的最小长度是对应的纳米数。
接着，我们看看巨头们是对7nm如何定义的。通过查阅资料，两家芯片生产巨头，三星和台积电的7nm制程的概述如下，从表中可以看出晶体管之间的间距其实是46nm。
综上所谓的制程是7nm，其实质是栅极的最小长度是7nm，而并非是晶体管的间隙或晶体管的尺寸是7nm。
https://en.wikipedia.org/wiki/7_nanometer
IGBT人
应该是导线线路宽度7纳米吧？
不知道对不对。
外行人随口一说(那尼)
芯片中的线路是通过极紫外光照射曝光，然后用蚀刻机腐蚀出一条沟槽，然后再向沟槽中注入导电材料，然后形成了一条导电线路，7纳米就是这个沟槽的宽度即导线线路宽度。
所谓ASML光刻机，其功能就是把设计好的电路图"啪"一下对着晶片上的胶层曝个光，曝光后轮到蚀刻机干活了。
华为海思就是专门设计这个电路图的。
荷兰阿斯麦光刻机设备就是专门曝光的。
上海中微半导体设备就是专门刻电路图的。
江丰电子专门提供溅射靶材的。
台积电就是专门加工芯片的，
长川科技是专门生产芯片封测设备的。
长电科技是专门进行封装测试的。
塞班班
晶体管，二极管，三极管，CMOS，NMOS，PN结，基区，发射区，空穴，电子，卧槽看到标题吓得我说出这么多名词，还好没挂科
古巨基gjj577
具体不懂，不过之前在哪看过，好像并没有一个明确的规定，之前英特尔好像提出过一个公式，希望其他几家用这个来命名，然而并没有人鸟他。
lpy5511241975
早就已经不是传统意义栅极间距等指标了，现在的制程已经脱离了所谓的摩尔定律，用的是等效物理制程。
