三星霸氣宣布,三年後晶片要進入3納米時代,正式站上世界之巔!

作為芯片製造的一大頭,三星此前也已經宣佈了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產,此外,在Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣佈了5/4/3nm工藝技術。三星還聲稱自家的 7 納米工藝全球首次使用了先進的 EUV 光刻解決方案。

經過多年的積澱,三星終於要站上世界之巔。在目前國家大力補“芯”的背景下,三星的發展歷程可以說給我們提供了很好的借鑑,而其成功也證明了芯片並非只有歐美才能成為世界頂尖水平。

三星霸氣宣佈,三年後芯片要進入3納米時代,正式站上世界之巔!

據瞭解,韓國在產業化的過程中,推進“政府+大財團”的經濟發展模式,並推動“資金+技術+人才”的高效融合。1983年,歷經多年努力,三星的首個芯片工廠在京畿道器興地區落成,並在投產後很快便開始量產64位芯片。

這之後,三星的芯片事業進入了快車道,不久三星就開發了256位芯片、486位芯片,並正式進入全球芯片市場的競爭中;僅時隔10年,三星的量產芯片市場份額直逼日本。之後,更是一騎絕塵,在芯片舞臺越走越寬。

三星霸氣宣佈,三年後芯片要進入3納米時代,正式站上世界之巔!

自1992年以來,英特爾一直是按銷售額計算的芯片市場領頭羊,不夠隨著智能手機的普及,PC市場的下降,這讓三星芯片業務受益。此前三星還宣佈,將投資180億美元擴建韓國半導體制造設施。

目前三星在NADA閃存和DRAM內存芯片領域佔據優勢,這也是三星營收主要貢獻力量。對於其他戲弄廠商而言,三星的芯片良品率更高,主要還是過去三星在這方面的持續投入。

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如果三星的線路圖不變的話,三星會在 2019 年生產 5 納米芯片,2020 年生產 4 納米芯片,2021 年生產 3 納米芯片。這意味著,未來三星將毒霸芯片世界!

目前,英特爾和臺積電都沒有著手開發商用3納米技術,3nm GAAE/GAAP則採用了全新的GAA(Gate-All-Around,環繞柵極)納米技術,需要重新設計晶體管底層結構,克服當前技術的物理、性能極限,增強柵極控制,性能大大提升。


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