芯片制裁令讓中國芯片加快國產化的呼聲高昂，不少公司頻發聲佈局“中國芯”。 近年來在市場需求拉動下，我國集成電路產業快速發展，整體實力顯著增強。但在芯片設計、製造能力和人才隊伍等方面還存在差距，需加快發展。我國將堅持走開放合作道路，加快推動核心技術突破，加強國際間產業合作。
中國芯是指由中國自主研發並生產製造的計算機處理芯片。實施“中國芯”工程，採用動態流水線結構，研發生產了一系列中國芯。
通用芯片有：魂芯系列、龍芯系列、威盛系列、神威系列、飛騰系列、申威系列；嵌入式芯片有：星光系列、北大眾志系列、湖南中芯系列、萬通系列、方舟系列、神州龍芯系列。
芯片作為在集成電路上的載體，廣泛應用在手機、軍工、航天等各個領域，是能夠影響一個國家現代工業的重要因素。但是我國在芯片領域卻長期依賴進口，缺乏自主研發。中國是世界上第一大芯片市場，但芯片自給率不足10%。
國外巨頭依靠在芯片領域長期積累的核心技術和知識產權，通過技術、資金和品牌方面的優勢一直佔據著集成電路的戰略要地，特別是芯片生產環節中的製造技術、設計能力和編碼技術等方面。常常會作為談判籌碼進行貿易制裁和出口禁運，對我國服務器、計算機、手機行業帶來了巨大困擾，針對政務、銀行等核心行業造成了安全影響。
“中國芯”工程
“中國芯”工程是在工信部主管部門和有關部委司局的指導下，由中國電子工業科學技術交流中心(工業和信息化部軟件與集成電路促進中心，簡稱CSIP)聯合國內相關企業開展的集成電路技術創新和產品創新工程。自2006年以來，該活動秉承“以用立業、以用興業”的發展思路，旨在搭建中國集成電路企業優秀產品的集中展示平臺，打造中國集成電路高端公共品牌。
中國是全球最大的製造國，製造了全球超過七成的手機，其他PC、平板電腦等電子產品也有很大比例在中國生產，因此中國對芯片的需求極大，據悉中國採購的芯片佔全球芯片市場的份額超過五成，採購的芯片金額甚至超過石油。
存儲芯片正中國進口的主要芯片之一，估計中國採購的存儲芯片佔全球存儲芯片的比例超過五分之一。然而在2019年以前，中國幾乎沒有生產存儲芯片，全球的存儲芯片主要由韓國、日本、美國生產，中國對全球存儲芯片的依賴性非常高。
為改變這一局面，中國努力推進存儲芯片的研發和生產，2018年長江存儲生產出第一代NAND flash存儲芯片，2019年合肥長鑫生產出DDR內存芯片，中國終於在存儲芯片行業邁出了第一步。
長江存儲雖然在2018年開始投產NAND flash存儲芯片，然而其時它生產的NAND flash存儲芯片僅是32層，而當時全球主流的NAND flash存儲芯片技術為64層，長江存儲也認識到自己在技術上的落後，因此32層NAND flash存儲芯片並沒有大規模生產，而僅為錘鍊生產技術，並提升研發人員的技術水平。
2019年長江存儲研發出64層NAND flash存儲芯片，追上了全球NAND flash存儲芯片的主流技術水平，它開始大規模投產NAND flash存儲芯片。此時中國才真正實現了部分NAND flash存儲芯片的自給，不過其時由於長江存儲才開始規模化生產，國內市場的NAND flash存儲芯片還是主要由國外供應。
目前長江存儲研發出128層NAND flash，預計該項技術的NAND flash存儲芯片將很快投入量產，而目前海外存儲芯片也正在推進128層NAND flash存儲芯片的量產，這意味著中國的NAND flash存儲芯片在技術上已接近國際領先水平。
推動長江存儲快速提升NAND flash存儲芯片技術離不開國內企業的支持，其中就包括華為。2019年華為被美國列入實體清單，美國存儲芯片企業美光與華為的合作受阻，華為迅速與長江存儲合作研發NAND flash存儲芯片，早在數年前華為就已研發SSD控制芯片，在存儲芯片技術上有一定積累，而且它是全球第二大手機企業、前五大服務器廠商，對NAND flash存儲芯片有很大的需求，華為的支持也加快了長江存儲研發更先進的NAND flash存儲芯片技術的腳步。
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