芯片制裁令让中国芯片加快国产化的呼声高昂，不少公司频发声布局“中国芯”。 近年来在市场需求拉动下，我国集成电路产业快速发展，整体实力显著增强。但在芯片设计、制造能力和人才队伍等方面还存在差距，需加快发展。我国将坚持走开放合作道路，加快推动核心技术突破，加强国际间产业合作。
中国芯是指由中国自主研发并生产制造的计算机处理芯片。实施“中国芯”工程，采用动态流水线结构，研发生产了一系列中国芯。
通用芯片有：魂芯系列、龙芯系列、威盛系列、神威系列、飞腾系列、申威系列；嵌入式芯片有：星光系列、北大众志系列、湖南中芯系列、万通系列、方舟系列、神州龙芯系列。
芯片作为在集成电路上的载体，广泛应用在手机、军工、航天等各个领域，是能够影响一个国家现代工业的重要因素。但是我国在芯片领域却长期依赖进口，缺乏自主研发。中国是世界上第一大芯片市场，但芯片自给率不足10%。
国外巨头依靠在芯片领域长期积累的核心技术和知识产权，通过技术、资金和品牌方面的优势一直占据着集成电路的战略要地，特别是芯片生产环节中的制造技术、设计能力和编码技术等方面。常常会作为谈判筹码进行贸易制裁和出口禁运，对我国服务器、计算机、手机行业带来了巨大困扰，针对政务、银行等核心行业造成了安全影响。
“中国芯”工程
“中国芯”工程是在工信部主管部门和有关部委司局的指导下，由中国电子工业科学技术交流中心(工业和信息化部软件与集成电路促进中心，简称CSIP)联合国内相关企业开展的集成电路技术创新和产品创新工程。自2006年以来，该活动秉承“以用立业、以用兴业”的发展思路，旨在搭建中国集成电路企业优秀产品的集中展示平台，打造中国集成电路高端公共品牌。
中国是全球最大的制造国，制造了全球超过七成的手机，其他PC、平板电脑等电子产品也有很大比例在中国生产，因此中国对芯片的需求极大，据悉中国采购的芯片占全球芯片市场的份额超过五成，采购的芯片金额甚至超过石油。
存储芯片正中国进口的主要芯片之一，估计中国采购的存储芯片占全球存储芯片的比例超过五分之一。然而在2019年以前，中国几乎没有生产存储芯片，全球的存储芯片主要由韩国、日本、美国生产，中国对全球存储芯片的依赖性非常高。
为改变这一局面，中国努力推进存储芯片的研发和生产，2018年长江存储生产出第一代NAND flash存储芯片，2019年合肥长鑫生产出DDR内存芯片，中国终于在存储芯片行业迈出了第一步。
长江存储虽然在2018年开始投产NAND flash存储芯片，然而其时它生产的NAND flash存储芯片仅是32层，而当时全球主流的NAND flash存储芯片技术为64层，长江存储也认识到自己在技术上的落后，因此32层NAND flash存储芯片并没有大规模生产，而仅为锤炼生产技术，并提升研发人员的技术水平。
2019年长江存储研发出64层NAND flash存储芯片，追上了全球NAND flash存储芯片的主流技术水平，它开始大规模投产NAND flash存储芯片。此时中国才真正实现了部分NAND flash存储芯片的自给，不过其时由于长江存储才开始规模化生产，国内市场的NAND flash存储芯片还是主要由国外供应。
目前长江存储研发出128层NAND flash，预计该项技术的NAND flash存储芯片将很快投入量产，而目前海外存储芯片也正在推进128层NAND flash存储芯片的量产，这意味着中国的NAND flash存储芯片在技术上已接近国际领先水平。
推动长江存储快速提升NAND flash存储芯片技术离不开国内企业的支持，其中就包括华为。2019年华为被美国列入实体清单，美国存储芯片企业美光与华为的合作受阻，华为迅速与长江存储合作研发NAND flash存储芯片，早在数年前华为就已研发SSD控制芯片，在存储芯片技术上有一定积累，而且它是全球第二大手机企业、前五大服务器厂商，对NAND flash存储芯片有很大的需求，华为的支持也加快了长江存储研发更先进的NAND flash存储芯片技术的脚步。
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