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全球第二大NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商鎧俠（Kioxia，舊稱東芝記憶體）採用3D 架構的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代產品現身，堆疊112 層、記憶容量將較現行96 層產品提高2 成。
鎧俠1月31日宣佈，已研發出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代產品，採用堆疊112層製程技術，且已完成試作、確認基本動作。
該款堆疊112 層的3D NAND 試作品為512Gb（64GB），採用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技術的產品，預計將在2020 年第一季進行樣品出貨，除將用來搶攻需求持續擴大的資料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智能手機等市場外，也將用來搶攻5G、人工智能（AI）、自動駕駛等新市場需求。
和鎧俠目前已量產的96 層3D NAND 產品相比，112 層3D NAND 每單位面積的記憶容量提高約20%，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每bit 成本也下滑。
鎧俠指出，該款112 層3D NAND 產品為該公司和合作夥伴美國Western Digital（WD）所攜手研發完成，今後將利用雙方共同營運的四日市工廠以及北上工廠進行生產，且今後也計劃推出採用堆疊112 層製程技術的1Tb（128GB）TLC 產品以及1.33Tb 的4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）產品。
關於上述112 層3D NAND 的量產時間，WD 宣佈，「預定將在2020 年下半年」。
鎧俠競爭對手南韓三星電子已於2019 年6 月開始量產堆疊100 層以上的3D NAND 產品。
東芝於2018 年6 月將鎧俠獨立出去，並賣給由美國貝恩資本主導的「日美韓聯盟」。東芝目前仍持有鎧俠40.2% 股權。
根據Yahoo Finance 的報價顯示，截至臺灣時間3 日13 點41 分為止，東芝上揚0.14% 至3,505 日圓。
日經新聞1 月29 日報導，據關係人士指出，鎧俠IPO（首次公開發行）上市時間預估將從原先規劃的2019 年度內（2020 年3 月底前）推延至2020 年10 月以後。
鎧俠於2019 年11 月13 日公佈2019 年Q3（7-9 月）財報：因出貨量大增，每GB 單價下滑幅度趨緩，而因停電導致「四日市工廠」部分產線停止生產的影響雖持續，但因生產回覆時間較預期來得快，影響金額大縮，激勵合併營收較前一季（2019 年4-6 月）勁揚11.6% 至2,390 億日圓，營損額自前一季的989億日圓大縮至658 億日圓，淨損額也自952 億日圓大縮至560 億日圓。
展望今後市場動向，鎧俠表示，因供給端庫存水準適當化，加上來自需求端的資料中心投資回覆及智慧手機 搭載的記憶體數量增加，一般認為2020 年供需將維持穩定。
鎧俠攜手美國WD 在日本巖手縣興建的北上工廠第一廠房（以下稱K1）已於2019 年10 月竣工，預定在2020 年開始進行生產。K1 將生產使用於資料中心/ 智能手機/ 自動駕駛等用途，堆疊96 層製程技術的3D NAND Flash 產品。
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