西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

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西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了
西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

2月1日,根据消息显示,西部数据公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5,这是西数与铠侠联合开发而成的,在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈,有TLC及QLC闪存两种类型,最高核心密度1.33Tb,是目前存储密度最高的产品。(新闻来源:新浪)

西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

全球财经观察评论:这个消息一出来,立马惊呆了三星电子。本来在3D NAND闪存技术创新上,三星电子一直引领全球潮流,现在一下子被西部数据与铠侠这两个家伙给超越过去了。意想不到啊。

当然了,3D NAND闪存技术的进步,对整个数据存储行业的发展还是十分有利的。很大程度上,数据存储的产业提升,都源自存储介质的创新与迭代。

随着大数据与云计算等新兴技术应用的广泛落地,对于闪存带来数据存储更大效率的苛求也就越来越高。这在一定程度上刺激闪存技术厂商不断革新工艺,提升闪存密度。这种在西部数据、铠侠、三星、SK、英特尔等闪存厂商之间不断你追我赶的创新,也加速了数据存储行业相关厂商对于个人用户与企业用户的更多满足。

用户需求与3D NAND闪存技术的双驱动,成为了数据存储产业发展进步的推动力。(by Aming)

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