西部數據+鎧俠實現了112層堆棧3D NAND閃存技術,三星電子驚呆了

用數據說話,帶你看懂科技上市公司

西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了
西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

2月1日,根據消息顯示,西部數據公司今天正式宣佈了新一代閃存技術BiCS5,這是西數與鎧俠聯合開發而成的,在原有96層堆棧BiCS4基礎上做到了112層堆棧,有TLC及QLC閃存兩種類型,最高核心密度1.33Tb,是目前存儲密度最高的產品。(新聞來源:新浪)

西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

全球財經觀察評論:這個消息一出來,立馬驚呆了三星電子。本來在3D NAND閃存技術創新上,三星電子一直引領全球潮流,現在一下子被西部數據與鎧俠這兩個傢伙給超越過去了。意想不到啊。

當然了,3D NAND閃存技術的進步,對整個數據存儲行業的發展還是十分有利的。很大程度上,數據存儲的產業提升,都源自存儲介質的創新與迭代。

隨著大數據與雲計算等新興技術應用的廣泛落地,對於閃存帶來數據存儲更大效率的苛求也就越來越高。這在一定程度上刺激閃存技術廠商不斷革新工藝,提升閃存密度。這種在西部數據、鎧俠、三星、SK、英特爾等閃存廠商之間不斷你追我趕的創新,也加速了數據存儲行業相關廠商對於個人用戶與企業用戶的更多滿足。

用戶需求與3D NAND閃存技術的雙驅動,成為了數據存儲產業發展進步的推動力。(by Aming)

西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术,三星电子惊呆了

-END-

歡迎來到:

全球財經觀察。

文章來源:阿明新媒體(Aming),全球財經觀察,著作權歸作者所有。商業轉載請聯繫作者獲得授權,非商業轉載請註明出處。本文和作者回復僅代表個人觀點,不構成任何投資建議


分享到:


相關文章: