每年為國節省上千億!存儲芯片僅三國掌握,中國長江存儲突破量產

隨著互聯網大數據的迅速增長,數據存儲在整個產業鏈中佔據著極為重要的地位。數據存儲主要依賴於存儲芯片,而存儲芯片主要分為DRAM與NAND Flash兩種,簡單來說就是內存和閃存兩種。中國每年從國外進口芯片的規模非常大,僅去年我國進口芯片數額就超過了3000億美元,而在其中存儲芯片的佔比就超過三分之一,這也是我國存儲芯片的閃存和內存芯片國產率基本為零的無奈選擇。三星、海力士以及美光佔據全球內存芯片約97%的份額,而閃存芯片市場則被三星、海力士、美光、英特爾以及東芝瓜分。

每年為國節省上千億!存儲芯片僅三國掌握,中國長江存儲突破量產

出品|國器

明年我國存儲芯片進一步量產其全球佔有份額將會達到5%

總體上看存儲芯片領域美日韓三國幾乎處於壟斷地位,而明年這一局面將會得到改變,因為全球存儲芯片市場5%的份額將被中國存儲芯片佔據,這將是中國國產存儲芯片從零到量產的突破,而這一切則要歸功於長江儲存。為實現我國芯片市場零的突破,從2016年起紫光集團成立了專門攻堅存儲芯片技術的廠商——長江存儲。紫光集團是清華成立的首家科技企業,經過收購銳迪科和展訊兩家企業,加上與全球最大硬盤供應商西部數據公司的成功合資,讓紫光逐漸成為全球集成電路產業鏈中的巨頭。

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紫光集團投資10億美元組建千人團隊全力攻關閃存研發

長江存儲一開始就將閃存作為主要研發對象,2016年紫光集團投入約10億美元,組建了一千多人的大規模研發團隊,在2017年11月便推出我國首款32層堆棧3D 閃存芯片。就在今年5月,長江存儲又研發出64層3D 閃存芯片,與三星研發的96層堆棧3D 閃存的差距僅剩一代。雖然與頂尖閃存相比中國存儲芯片還存在很多不足,但在同代64層3D 閃存芯片中,長江存儲研發閃存芯片有著更高的存儲密度和存儲性能,而這離不開其自主研發的新包裝架構。

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長江存儲新研發的Xtacking架構3D閃存將為我國每年節省上千億

而在全球閃存的I/O接口標準上,其主要分為海力士的ONFi和三星推出的Toggle DDR兩類,兩者I/O接口速度達到了每秒1200兆,而全球絕大多數廠商的I/O接口速度都低於每秒1000兆。中國長江存儲則依靠自研Xtacking構架讓存儲芯片的I/O接口速度達到了每秒3000兆,幾乎相當於前者的3倍。今年9月長江存儲表示已開始生產由Xtacking架構組建的64層3D閃存,在2020年底有望達成月產6萬片的目標,進而佔據全球閃存產能的5%。該款芯片在價格與技術上相比同代頗具優勢,在國產芯片量產的趨勢下,這將為我國每年節省上千億元的進口費用。

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中國另一家儲存芯片公司合肥長鑫也投資1500億攻堅內存芯片領域

長江存儲還表示將在2020年跳過96層堆棧,直接對128層進行研發,力求與全球頂尖閃存同步發展。在內存的研發上我國合肥長鑫公司也是儲存芯片領域的佼佼者,目前長鑫已積累下了1萬6千項專利,其研發的10nm級8 Gb 內存與目前三星最先進的10nm級12GB 內存差距並不大。也是今年9月,總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片項目正式啟動,計劃在2020年底讓我國內存產能佔據全球3%。5%與3%的產能佔比可能並不多,但面對壟斷我國僅幾年時間就讓中國芯抬起了頭,未來我國定能成為全球存儲芯片陣營領先者。


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