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MOS管是電路設計中常用的功率開關器件，是壓控型的，有三個電極，分別是：柵極G、源極S、漏極D。MOS管分為NMOS和PMOS，其電路符號如下圖所示。
柵極G
MOS管的柵極G是控制端，名字為gate，在G端加入高低電平即可控制MOS管的開斷。對於NMOS而言，要求Vgs>0時，MOS管導通，否則MOS關斷；對於PMOS而言，要求Vgs<0時,MOS管導通，否則MOS關斷。
源極S
源極，名字為Source，簡稱S。對NMOS而言，源極S是流出端，對PMOS而言，源極S是流入端。
漏極D
漏極，名字為Drain，簡稱D。對NMOS而言，漏極D是流入端，對PMOS而言，源極S是流出端。
MOS管常用的封裝有TO-220,TO-263,SOT23等，一般從左往右的順序為G、S、D，對於具體的芯片大家可以查閱其datasheet。
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MOS管也叫場效應管，它是一種半導體器件。它分別有三個極，D-極（也叫漏極）、G-極（也叫柵極）、S-極（也叫源極）。它的特性有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
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