立深鑫
MOS管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极G、源极S、漏极D。MOS管分为NMOS和PMOS，其电路符号如下图所示。
栅极G
MOS管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS管导通，否则MOS关断；对于PMOS而言，要求Vgs<0时,MOS管导通，否则MOS关断。
源极S
源极，名字为Source，简称S。对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。
漏极D
漏极，名字为Drain，简称D。对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。
MOS管常用的封装有TO-220,TO-263,SOT23等，一般从左往右的顺序为G、S、D，对于具体的芯片大家可以查阅其datasheet。
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玩转嵌入式
MOS管也叫场效应管，它是一种半导体器件。它分别有三个极，D-极（也叫漏极）、G-极（也叫栅极）、S-极（也叫源极）。它的特性有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
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