湖畔西子913
首先，我們先回答一個關於什麼是製程的問題。
在講這個之前，不得不說一個半導體界的黃金定律也就是摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。更直觀的體現便是節點大約每隔24個月便會縮小30%。
製程一般以特徵尺寸來體現，所謂的特徵尺寸就是原胞中的最小尺寸，通常以柵極的長度來表徵。因此，現在常說的製程是多少納米，其實質是柵極的最小長度是對應的納米數。
接著，我們看看巨頭們是對7nm如何定義的。通過查閱資料，兩家芯片生產巨頭，三星和臺積電的7nm製程的概述如下，從表中可以看出晶體管之間的間距其實是46nm。
綜上所謂的製程是7nm，其實質是柵極的最小長度是7nm，而並非是晶體管的間隙或晶體管的尺寸是7nm。
https://en.wikipedia.org/wiki/7_nanometer
IGBT人
應該是導線線路寬度7納米吧？
不知道對不對。
外行人隨口一說(那尼)
芯片中的線路是通過極紫外光照射曝光，然後用蝕刻機腐蝕出一條溝槽，然後再向溝槽中注入導電材料，然後形成了一條導電線路，7納米就是這個溝槽的寬度即導線線路寬度。
所謂ASML光刻機，其功能就是把設計好的電路圖"啪"一下對著晶片上的膠層曝個光，曝光後輪到蝕刻機幹活了。
華為海思就是專門設計這個電路圖的。
荷蘭阿斯麥光刻機設備就是專門曝光的。
上海中微半導體設備就是專門刻電路圖的。
江豐電子專門提供濺射靶材的。
臺積電就是專門加工芯片的，
長川科技是專門生產芯片封測設備的。
長電科技是專門進行封裝測試的。
塞班班
晶體管，二極管，三極管，CMOS，NMOS，PN結，基區，發射區，空穴，電子，臥槽看到標題嚇得我說出這麼多名詞，還好沒掛科
古巨基gjj577
具體不懂，不過之前在哪看過，好像並沒有一個明確的規定，之前英特爾好像提出過一個公式，希望其他幾家用這個來命名，然而並沒有人鳥他。
lpy5511241975
早就已經不是傳統意義柵極間距等指標了，現在的製程已經脫離了所謂的摩爾定律，用的是等效物理製程。
