碧崇輝
1. 溼洗 (用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質)2. 光刻 (用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 於是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質, 依然是一個硅晶圓. ) 3. 離子注入 (在硅晶圓不同的位置加入不同的雜質, 不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管.)4.1幹蝕刻 (之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的,而是為了離子注入而蝕刻的. 現在就要用等離子體把他們洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構, 這一步進行蝕刻). 4.2溼蝕刻 (進一步洗掉, 但是用的是試劑, 所以叫溼蝕刻).
-- 以上步驟完成後, 場效應管就已經被做出來啦~ 但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反覆覆的做, 以達到要求. ---5 等離子沖洗 (用較弱的等離子束轟擊整個芯片)
6 熱處理, 其中又分為: 6.1 快速熱退火 (就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上, 然後慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化)6.2 退火
6.3 熱氧化 (製造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) )
7 化學氣相澱積(CVD), 進一步精細處理表面的各種物質
8 物理氣相澱積 (PVD), 類似, 而且可以給敏感部件加coating
9 分子束外延 (MBE) 如果需要長單晶的話就需要這個..10 電鍍處理11 化學/機械 表面處理，然後芯片就差不多了, 接下來還要: 12 晶圓測試13 晶圓打磨
日照綠茶自產自消銷
硅提純，切割成圓形晶片，然後影印，這會兒就需要有高精度的模板，照射一下，再用蝕刻，這時候就是光刻機的作用提現出來了。再這樣重複過程做多層的，晶體管不是做好了安上去的，是這樣做出來的。
朱雷震莊生曉夢
我一般都是用手刻，關鍵技術是這個刻刀要磨得非常鋒利，刻個一億左右的CPU要5-8個小時，很累的，現在才不到40，眼睛就有點不好使了，準備明年退休不幹了，回去跑個滴滴什麼的，比這活自由點
Samkong1
需要高溫加熱的單晶硅這時候變成了水樣子了，這時候可以加入金屬絲編製成的圓圈小點的，開始往上面放到中間，然後用夾板把他夾住固定好，開始在什麼樣子的溫度下可以快速行成行，溫度調節好，就行了，下來開始檢查合格不了。
悠悠十五分
應該是在上面直接生成晶體管的，不會像老方法把現成的管子安放上去，這個雖可能，但成本上萬倍也不止。這就是部分的一體化製造，工業4.0大概就是向這個方向發展，即聯合的一體化智能製造，區別於傳統工藝。
