半導體設備國產突破正加速——新建及產業轉移帶來機遇

芯片製造能力是實現國家集成電路乃至信息產業自主可控的關鍵,晶圓製造和封測,以及上游配套的設備與材料是基礎。本土設計、製造、封測、存儲等環節不斷突破,部分領域已追趕至國際水平。

關鍵製程設備本土均有突破

半導體設備國產突破正加速——新建及產業轉移帶來機遇

晶圓代工產能方面,2017年全球代工營收約623億美金,中芯國際、華虹半導體等本土晶圓代工企業營收約50億美金,全球代工產值佔比約8%,代工份額提升空間巨大。

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晶圓製程方面,本土代工在45nm/40nm以上成熟製程已具備實力,28nm以下的先進製程正努力縮小差距。中芯國際的28nm製程17Q4量產,14nm在2019Q3量產,12nm開始客戶導入。華力微19年底突破28nm HKC+工藝,2020年將量產14nm。就14納米而言,中芯國際與臺積電/三星/GF差距逐漸縮小。

2018-2021年是大陸產線投入與產能爬坡的密集期,2020年將迎來諸多晶圓新線建設,包括新項目落地,以及已有項目的二期建設或擴產開工,本土半導體資本開支持續維持高位。

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存儲是新線重點,投資佔比高達65%,其中本土存儲佔比48%(紫光/長江存儲/合肥睿力/福建晉華),非本土(Intel/三星/海力士)為17%。規劃涉及設備投資總額約8800億元,根據建設進度預計設備訂單釋放時間,對應2017-2021年每年半導體設備需求約769、1551、1504、1719、1427億元。

2019年全球半導體設備市場約576億美金,大陸地區約130億美金,佔比約22.4%,僅次於臺灣的27%,高於韓國的18%。2019年泛半導體設備國產率約16%,IC設備國產化率約5%,其中大陸進口半導體設備中,金額佔比最高的為鍍膜設備,佔比32%(化學氣相沉積23%+物理氣相沉積9%),其次是刻蝕設備18%,其次是引線鍵合機12%,剩下氧化擴散爐、光刻機、離子注入機、化學拋光機等設備佔比約10%、9%、4%、4%。

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鍍膜與刻蝕兩環節設備合計約50%,是國產替代的主力領域,相關公司有望從中受益。

隨著大陸晶圓產線建設,本土晶圓代工產能有望提升3倍,大陸晶圓製造商的市佔率攀升,最終將帶動本土上游配套的設備企業“共生增長”。

本土企業在特色工藝具備競爭力,存儲投資力度大規劃明確,先進/成熟製程逐漸進步,晶圓產能新建給本土設備企業帶來配套機會。目前國內設備商28nm產線批量供應,14nm逐步驗證,看好國產設備在28nm及以上產線機會。我們認為半導體設備國產化容易程度:(1)產品上,功率器件>數字模擬器件>邏輯芯片;(2)製程上,特色工藝>成熟製程(28nm及以上)>先進製程;(3)尺寸上,4-6寸>8寸> 12寸。

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刻蝕/鍍膜/清洗設備國產化較好,光刻/離子注入/量測等有差距

從技術水平看,刻蝕/鍍膜/清洗/CMP/熱處理等設備的國產化水平相對較高,在華力微、華虹等先進的28/14nm晶圓代工產線和長江存儲3D NAND等存儲產線批量應用,份額逐年提升,基本上超過15%。

整體來看,國內刻蝕機國產化率達到18%,中微公司和北方華創貢獻較多。根據中芯國際、長江存儲和合肥睿力的招標情況看,從中微採購的刻蝕機臺數佔整體刻蝕機臺採購比例約15-20%,逼近東京電子和應用材料,進步明顯。按材料分,國內介質刻蝕設備市場中,中微佔有25%份額,國產化率在各類半導體設備中屬於較高水平;而在硅刻蝕設備市場中,北方華創佔有15%市場份額。

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MOCVD設備市場規模在6-12億美元之間,中國是最大的需求市場。薄膜沉積設備國產化率整體較低,PVD設備較CVD設備國產化率高。國內廠商中,已有中微半導體、北方華創、瀋陽拓荊和中晟光電等在細分領域可實現國產替代。

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清洗環節:盛美/北方華創/至純等多廠商佈局,國產替代機會較大。

國內廠商方面,盛美半導體、北方華創和至純科技可生產槽式晶圓清洗機和單片清洗機。盛美半導體處於領先地位,生產單片清洗機,在國內有比較深厚客戶基礎;芯源微側重單片清洗機,北方華創和至純科技槽式和單片均有佈局,三者均已獲得國內大客戶訂單,營收規模尚小。

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CMP設備市場頭部集中趨勢明顯,國產CMP設備有所突破。隨著晶圓製程工藝發展,所需CMP次數增多,CMP設備和CMP材料的需求也大幅提升。在CMP設備市場競爭激烈, CMP設備廠商由1997年的20家逐漸集中在2017年的兩家(應用材料和荏原),且CMP設備最大的供應商美國應材的市場份額依然呈現逐年遞增的態勢。國內目前主要的CMP設備供應商為中電科和華海清科,在長江存儲最新的30k產能生產線設備招標中,華海清科在硅、二氧化硅材料CMP設備中標多臺,國產化率分別達到33%和33%,而銅和鎢CMP設備無國內廠商中標。

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而光刻、塗膠顯影、離子注入、量測設備、測試分選等環節相較國際水平有一定差距,但也有份額突破,不超過5%。國產光刻機目前最高到90nm節點,在功率等特色工藝線有所突破;離子注入在光伏及45-22nm低能大束流方面取得突破;量測設備主要集中在膜厚等關鍵尺寸測量上。而其他封測設備如探針臺、測試機、分選機等在數字芯片等先進應用上仍有差距。

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IC封裝設備國產化相對成熟

半導體封裝設備種類繁多,日系、歐美廠商主導市場。國內封裝設備整體上處於低端,在高端封裝工藝中應用很少,個別機型依靠定製化需求打入市場,尚未形成批量生產帶動高端研發的良性循環,主要原因在於:1)核心零部件“卡脖子”,如氣浮主軸限制了高端減薄機和劃片機的發展;2)設備研發投入高,設備試錯成本高,難以形成市場反哺研發;3)國產封裝設備可靠性相對較差,客戶不接受國產設備,與第2點形成惡性循環;4)高端技術人才和團隊匱乏。

半導體設備國產突破正加速——新建及產業轉移帶來機遇

先進封裝設備國產化率正逐步提高,傳統封裝設備國產化率較低。根據中國電子專用設備工業協會統計,目前12英寸晶圓先進封裝、測試生產線設備中,已有17種實現高度國產化,國產化率可達70%。封裝用光刻機,倒裝、刻蝕、PVD、清洗、顯影、勻膠等設備均已滿足國內先進封裝需求,部分實現批量銷售。先進封裝用前道設備國產率較高,光刻機、刻蝕機、植球機等超過50%,但傳統封裝設備國產化率整體不超過10%,主要設備如劃片機和鍵合機等仍然嚴重依賴進口,傳統封裝設備是被忽視環節,亟需支持。

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測試探針分選設備:長川科技/華峰測控逐漸突破,高端產品正大力佈局。

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投資建議

半導體設備國產突破正加速,迎來中長期投資機會

站在2020年當下展望未來,疫情雖影響部分下游終端出貨節奏及需求,但5G商業化正在開啟,5G換機和創新週期長線趨勢確定,終端側和功能端迎來需求增量,核心半導體元件迎來量價提升。另一方面,19年半導體景氣度逐漸好轉,20年貿易環境和行業供需的不確定性雖有增加,但長維度的半導體產業鏈國產替代邏輯正在加速兌現。本土在設計、製造、封測、存儲等環節大力佈局不斷突破,部分領域已追趕至國際水平。設備和材料環節作為半導體產業鏈上游核心部分,也正受到重視和扶持,有望加速本土配套。

建議關注:北方華創(刻蝕/鍍膜/熱處理/清洗)、中微公司(刻蝕/鍍膜)、盛美(清洗)、至純科技(高純工藝/清洗)、上海微(光刻機)、華海清科/中科信(CMP)、中電48所/萬業企業(離子注入)、屹唐(刻蝕/熱處理/去膠)、瀋陽拓荊(PECVD)、芯源微(塗膠顯影/去膠/清洗)、上海精測/上海睿勵(過程控制測試)、長川科技/華峰測控/華興源創(測試分選)、晶盛機電(硅片長晶加工)。

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