2019年7月12日,根據科技部國家科學技術獎勵工作辦公室公告第93號,公佈了 2019年度初評通過的53項國家自然科學獎項目、56項國家技術發明獎通用項目、152項國家科學技術進步獎。其中半導體相關項目共8個,佔總通過項目的14%。與功率半導體強相關的項目有3個,分別是由浙江大學申報的微量摻鍺直拉硅單晶硅技術及其應用、大連理工大學、北京有研、無錫機床聯合申報的大尺寸硅片超精密磨削技術與裝備、株洲中車時代電氣和浙江大學聯合申報的高壓大電流IGBT芯片關鍵技術及其應用。
2020-12-13 21:43:44 佚名
2019年7月12日,根據科技部國家科學技術獎勵工作辦公室公告第93號,公佈了 2019年度初評通過的53項國家自然科學獎項目、56項國家技術發明獎通用項目、152項國家科學技術進步獎。其中半導體相關項目共8個,佔總通過項目的14%。與功率半導體強相關的項目有3個,分別是由浙江大學申報的微量摻鍺直拉硅單晶硅技術及其應用、大連理工大學、北京有研、無錫機床聯合申報的大尺寸硅片超精密磨削技術與裝備、株洲中車時代電氣和浙江大學聯合申報的高壓大電流IGBT芯片關鍵技術及其應用。