長江存儲在4月13日宣佈他們128層堆疊的3D閃存研發成功，有X2-6070這款擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲芯片容量的3D QLC，以及128層堆疊的3D TLC X2-9060，新的產品採用Xtacking 2.0架構，進一步釋放3D閃存的潛能，X2-6070是128層堆疊的1.33Tb 3D QLC，而X2-9060則是是128層堆疊的512Gb 3D TLC，都是基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，它們均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率，是當前業界最高。
而現在江波龍表示，長江存儲的128層3D NAND 512Gb將用於旗下雷克沙的nCARD產品上，通過高堆疊16 die工藝，明年上半年可實現1TB容量的量產，具備了存儲終端介質的優勢條件，加速手機存儲卡TB時代的到來，而未來在尺寸、讀寫速度、安全性等更多拓展上，將會帶來更多可能。
nCARD是雷克沙在今年3月2日發佈的全新形態存儲卡，與MicroSD存儲卡相比，完全相同的尺寸下體積減小45%，可與NANO SIM卡共享卡槽，目前，該產品已通過性能、品質測試，並已做好量產準備。
雷克沙nCARD的讀取速度高達90MB/s，寫入速度高達70MB/s，高IOPS響應讓手機運行更順暢，釋放設備全速性能，並提供64GB/128GB/256GB多種存儲容量，匹配不同的市場需求。
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