今日，三星電子宣佈已開始量產 512GB 封裝容量的 eUFS 3.1 閃存，可用於手機、平板等。
相較上一代 eUFS 3.0（512GB）閃存產品，新款的寫速提升了 200%，達到了驚人的 1200MB/s，比用於 PC 的傳統 SATA3 SSD（540MB/s）和 UHS-I microSD 存儲卡（90MB/s），可謂巨大的升級，可消除 8K、5G 時代下的存儲瓶頸。
其它性能參數還包括，連續讀取速度可達 2100MB/s，隨機讀取速度就 100K IOPS，隨機寫入速度 70K IOPS。
當然，這批新的 eUFS 3.1 閃存還有 128GB 和 256GB 容量。
另外，三星還透露，其位於中國西安市的 X2 線則已於本月開始生產第五代 V-NAND（9x 層），韓國平澤市的 P1 線將很快轉向第六代 V-NAND 閃存（1xx 層）芯片的量產，以滿足日益增長的市場需求。
此前，西部數據、鎧俠（原東芝存儲）也介紹了 UFS 3.1 閃存產品，但都是出樣，沒有達到量產程度。
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