華為強勢入局功率半導體研發!IGBT國產化進程加速 附股票

華為強勢入局功率半導體研發!IGBT國產化進程加速 附股票

重磅消息

據集微網消息,從業內人士處獲悉,華為正開始研發IGBT,目前正在從某國內領先的IBGT廠商中挖人。據瞭解,憑藉強大的技術優勢,華為早已成為UPS電源的領軍企業,佔據全球數據中心領域第一的市場份額,而IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件,也是華為UPS電源的核心器件。

獨家解讀

受益於新能源汽車和工業領域的需求大幅增加,中國IGBT市場規模將持續增長,到2025年,中國IGBT市場規模將達到522億人民幣,年複合增長率達19.11%。據市場研究機構IC Insights指出,在各類半導體功率器件組件中,未來增長強勁的產品將是MOSFET與IGBT模塊。除增長強勁外,IGBT也是含金量最高的功率器件。

機構指出,中國是全球最大的IGBT市場,但全球前十大IGBT供應商均為日本和歐美的半導體企業,主要為英飛凌三菱集團、三菱、日本富士電機;全球前五大生產商佔據市場總量的67.5%。

我國IGBT行業發展至今,已經取得了較大進展,雖然仍需大量進口,但已有一部分企業具備規模化生產能力。目前中國IGBT行業中中高端技術已有突破,初步形成從芯片設計到芯片封裝的產業鏈,較強的成本優勢將是中國本土企業與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年IGBT市場的高速增長,國產化進程的啟動將會使產業鏈覆蓋的公司受惠。

個股機會

我認為,IGBT是變頻器、工業控制、電源行業以及新能源汽車的核心元器件,隨著下游市場繁榮對IGBT需求逐步擴大,IGBT市場將得到高速增長。投資者可重點關注以下2股:

華微電子:公司2010年IGBT研發成功,已經搭建起IGBT產品基礎工藝平臺,並使產品進一步實現系列化研發成為可能。開工建設新型電力電氣器件基地項目,計劃首期建設一條年產426萬片擴散片、420萬片外延片的材料片生產線。

中環股份:公司研發出IGBT用區熔硅單晶拋光片填補了國內空白,已成功打入國際市場;研製出國內首類1200V溝槽型非穿通(NPT)IGBT系列產品,可應用於家電;開發出3300V平面型IGBT樣品,可應用於機車與電網。


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