02.10 斯達半導會否成為下一個卓勝微?功率半導體梳理

時間緊,簡單粗暴上公司


主要公司:


1、斯達半導(603290)


主要從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發和生產,並以IGBT 模塊形式對外實現銷售,相關產品廣泛應用於工業控制及電源、新能源、變頻白色家電等領域。


作為國內IGBT行業的領軍企業,公司不僅具備先進的模塊設計及製造工藝,亦擁有自主研發設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片的能力,市場地位持續提升。根據IHS的數據,2018年公司在全球IGBT模塊市場的份額約為2.2%,市佔率排名全球第8,國內第1,是世界排名前十中唯一一家中國企業,市場優勢地位顯著,有望充分受益IGBT市場的持續增長和國產替代進程。


在IGBT設計方面,公司目前已經成功研發出NPT型芯片和第六代 FS-Trench 芯片並實現規模化量的產,在最新一代的IGBT 技術領域掌握了核心技術。客戶包括英威騰、匯川技術、安徽巨一、陽光電源等眾多優質客戶資源。


2、士蘭微(600460)


主要從事電子元器件、電子零部件及其他電子產品設計、製造、銷售,主要產品包括括集成電路、半導體分立器件、LED(發光二極管)產品等三大類,相關產品廣泛應用於工業、新能源汽車、新能源發電和家電等領域。


公司陸續完成大功率 IGBT、多芯片高壓 IGBT 智能功率模塊、超結MOSFET、高壓集成電路等產品的研發、設計,功率半導體產品線不斷豐富。同時,公司依託於已穩定運行的 5、6 英寸芯片生產線和已順利投產的 8 英寸芯片生產線,陸續完成了國內領先的高壓 BCD、超薄片槽柵 IGBT、超結高壓 MOSFET、高密度溝槽柵MOSFET、快恢復二極管等工藝的研發,保證了產品品質的優良和穩定。相關產品已經得到了華為、三星、索尼、戴爾、臺達、海信、海爾、美的、格力等全球品牌客戶的認可,市場優勢地位突出。


3、臺基股份(300046)


主要從事功率半導體芯片及器件的研發、製造、銷售及服務,主要產品為功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導體模塊等功率半導體器件,廣泛應用於工業電氣控制和電源設備,包括冶金鑄造、電機驅動、大功率電源、輸變配電、軌道交通、新能源等行業和領域。


積累了完整的具有自有知識產權的功率半導體產品設計和製造技術,掌握完整的前道(晶圓製程)技術、中道(芯片製程)技術、後道(封裝測試)

技術。公司大功率 IGBT 已經量產,具有完全自主知識產權的大功率半導體脈衝開關技術達到國際領先水平,並持續跟蹤 SiC、GaN 等第三代寬禁帶半導體技術研發和應用。公司擁有技術和產能國內領先的完整的大功率半導體器件生產線,具有年生產功率半導體器件 200 萬隻以上的能力,是國內大功率半導體器件主要的提供者之一,主導產品市場佔有率在國內連續多年保持前列。


4、聞泰科技(600745)


主要從事通訊終端的研發設計和生產製造服務,業務涵蓋終端產品的新產品開發、ID 設計、結構設計、硬件研發、軟件研發、生產製造、供應鏈管理等,相關產品廣泛應用於智能手機、平板電腦、筆記本電腦、智能硬件、IoT 模塊等領域。


公司收購安世半導體切入半導體領域,安世主要產品為分立器件、半導體邏輯芯片、功率 MOS 器件等,在二極管和晶體管市場和 ESD 保護器件市場市佔率第一,在車用MOSFET 市場市佔率第二,下游合作伙伴覆蓋了汽車、通信、消費電子等領域全球頂尖製造商與服務商,市場優勢地位十分顯著。本次收購有利於公司業務向產業鏈上游擴展延伸,對未來提升公司核心競爭力和持續盈利能力具有積極意義。


5、揚傑科技(300373)


主要從事功率半導體芯片及器件製造以及集成電路封裝測試等業務。公司主營產品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN 產品、MOSFET、IGBT 及碳化硅 SBD、碳化硅 JBS 等,相關產品廣泛應用於消費類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等領域。


汽車電子小信號和貼片產品已小批量出貨,持續提升公司在汽車電子領域的品牌知名度與市場佔有率。同時,公司持續強化 8 寸 MOS 產品技術實力,大幅擴充 Trench MOSFET 和SGT MOS 的產品品類,實現市佔率穩步提升,並積極開發和儲備下一代技術。此外,公司積極推進 IGBT 新模塊產品的研發進程,50A/75A/100A-1200V 半橋規格的 IGBT 開發成功,併為公司貢獻持續穩定的銷售額。


6、華微電子(600360)


主要從事功率半導體器件的設計研發、芯片製造、封裝測試和銷售等業務。公司已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS 系列產品到第六代 IGBT 國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產品體系,正逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變,相關產品在工業變頻和新能源等領域廣泛應用。


公司全力推進 IGBT、SCR、Trench MOS、超結 MOS 和 Trench SBD 等產品系列平臺建設,產品性能水平持續提升。目前,650V~1200V 的 Trench-FS IGBT 平臺的芯片電流已經達到 200A,並且通過客戶驗證。未來隨著產品放量,有望充分受益於新能源汽車、變頻家電、光伏等新興領域 IGBT 應用的快速發展。


斯達半導會否成為下一個卓勝微?功率半導體梳理


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